1) composite quantum dots
复合量子点
1.
The time characteristics of the composite quantum dots based MOSFET memory is simulated with the Monte Carlo method in quasiclassical approximation.
本文采用准经典近似的MonteCarlo方法对复合量子点MOSFET结构存储器的等效单电子电路进行了模拟 。
3) coupled quantum dot
耦合量子点
1.
The rate equation of probability of electron in three coupled quantum dots;
电子在三个耦合量子点中输运的主方程
4) complex quantum well
复合量子阱
1.
We prepared a (ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe complex quantum wells structure grown by LPMOCVD on GaAs (100) substrate.
用低压金属有机化学气相沉积(LP MOCVD)的方法在GaAs(100)衬底上生长了(ZnCdTe,ZnSeTe)/ZnTe复合量子阱结构。
5) QDs-CNTs nanocomposites
量子点与碳纳米管复合物
补充资料:单量子阱(见量子阱)
单量子阱(见量子阱)
single quantum well
单且子阱sillgle quantum well见量子阱。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条