1) WLP
晶圆级封装
1.
This paper overviews the present status of different kinds of reply means faced by semicon- ductor industry for challenge of critical fabrication techniques after entering the post Moore Era,it main- ly introduces POP、SIP、WLP and TSV etc.
综述了进入后摩尔时代半导体业界面临制造技术极限的挑战所进行的各种应对措施的现状,着重介绍了叠层封装、系统级封装、晶圆级封装、硅通孔技术等一些新型的三维垂直封装技术在电子电路集成方面的进展及高密度3D芯片封装的前景。
2) WLCSP
晶圆尺寸级封装
1.
Research on the thermal stress and warpage of WLCSP device
晶圆尺寸级封装器件的热应力及翘曲变形
3) WCSP
晶圆级芯片尺寸封装
1.
Wafer chip scale packaging(WCSP) eliminates conventional packaging steps such as die bonding, wire bonding, and die level flip chip attach processes.
晶圆级芯片尺寸封装(WCSP)消除了类似传统的芯片键合、引线键合和倒装芯片贴装过程的封装工序。
4) WLP
圆片级封装
1.
Wafer Bumping Technology for WLP;
圆片级封装的凸点制作技术
2.
Wafer-Level Packaging(WLP) technology has become the important composition of advanced packaging technology, which is able to produce economic benefits of scale in batch process for die packaging.
圆片级封装(Wafer-LevelPackaging,WLP)已成为先进封装技术的重要组成部分,圆片级封装能够为芯片封装带来批量加工的规模经济效益。
5) wafer level packaging
圆片级封装
1.
This paper presents a new packaging trend: wafer level packaging .
文中介绍了一种新型的封装发展趋势——圆片级封装技术,主要详述了圆片级封装的概念、技术驱动力,列举了主要厂家圆片级封装技术的应用情况。
2.
This paper discusses a true wafer level packaging (WLP) technology which is called Ultra CSPTM.
文章论述了超CSPTM圆片级封装技术工艺。
6) Wafer Level Chip Scale Package
晶片级封装
补充资料：解决暗场成像技术延伸晶圆检测
大多数暗场检测系统的核心是声光偏转器（AOD）。当高频信号作用于它时，AOD展现某些特性，它可折射出激光束。如果此激光束折射地很快，结果就相当于在晶圆上画一激光扫描线。正是这条线可确定每次通过晶圆的检测高度，这和产量直接相关。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
传统的暗场结构很简单：主要是基于照明斑点和光电倍增管（PMT）传感器。
如今，大多数传统的暗场检测系统可达到100M像素/秒。理论上，可达到300M像素/秒。但是，在暗场中，晶圆结构的散射可从一个像素中几个光子到下个像素中变成数百万个光子，当取样时间减少到>3 nsec时，使支持高动态范围（>12比特）和单输出数字化系统的电子电路的研发变得越来越难。扩展激光光斑扫描的另一障碍是为提高检测灵敏度而减少光斑尺寸时，功率密度就增加了，也就增加了先进晶圆材料受损伤的危险性。另外，光斑扫描结构不能依比例缩小分辨率并同时保持光的傅立叶滤光。这点很重要，因为对先进SRAM和DRAM阵列，傅立叶滤光可使激光器光斑扫描系统的灵敏度增加10倍。
KLA-Tencor公司研发了一种解决方案，避开了这些基本限制，即把难题从前端照明处转移到集光端。这简化了采用光学透镜沿晶圆跟踪线的要求。其新的Puma 9000平台采用了专利结构，可在晶圆上形成一条长线并进行检测，同时，经过多个集光通道可产生双暗场平面。KLA-Tencor设计了一种新的线性传感器和结构，称之为“Streak”技术，它可使传统的暗场极限分别得到解决，能提供>500M像素/秒，以及≤65 nm的线监测能力。对精密的运算规则有足够的计算能力，可从多个通道分析数据。同时，不会延长扫描时间和牺牲产量。
以前，通常采用的是激光光斑和PMT，但PMT是一种光探测器，它并不意味着更高的分辨率。分辨率由照明光斑的尺寸决定。平台能控制照明光斑的尺寸，而且因它有一个与像素有关的传感器，在集光通道中也存在分辨率。成像技术结合照明线允许系统傅立叶滤波任何先进的阵列结构，得到10倍灵敏度的增加，同时增加了照明线上和成像集热器的分辨率。具有双暗场结构的照明和集光器的结合可在获得传统的暗场晶圆产量的前提下得到最好的缺陷灵敏度。
典型的应用是在氮化硅剥离后在像STI CMP这样的薄层上的空洞探测。空洞的大小可在200nm到20nm范围内。Puma对>50 nm的空洞的产量已达>10 wph，这对传统的暗场系统是做不到的。另一个例子是对在90nm到70nm设计规则下，某些遗漏的接触孔甚至部分被刻蚀的接触孔的探测，由于和接触层有关的噪声，至今为止，这方面的探测也成了检测系统面临的主要挑战。
由于平台不再受AOD要求的限制，它可望将延伸好几代。
| 作者：Alexander E. Braun，Semiconductor International高级编辑 |
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