1) QD
量子点器件
2) Si-based quantum dot devices
硅基量子点器件
3) quantum device
量子器件
1.
Suggestions on establishing state key nano-technology laboratory and funding basic research in nano-quatum structure,quantum device and ntegrated technology;
抓住时机紧急布署纳米量子结构、量子器件及其集成技术的基础研究
2.
Recent development in nano-CMOS device,nanoelectronic device and quantum device were introduced.
介绍了纳米CMOS器件、纳米电子器件和量子器件的发展动态,提出以信息载体来分类纳米器件的方式。
3.
The inevitability of quantum device and quantum information technology’sinvention and development is implied form the analysis of informational society’s development.
从信息社会的发展分析提出了量子器件及量子信息技术产生和发展的必然性,介绍了谐振隧穿器件、单电子器件、电子波导晶体管等纳米电子器件及其特点,对量子激光器和量子信息技术及其性能作了简要介绍,并给出了应用前景。
4) quantum devices
量子器件
1.
With the advances in ultra\|thin film epitaxial growth and micro\|fabrication,many semiconductor quantum devices have been developed.
随着半导体材料超薄层外延生长和微细加工技术的进展 ,人们已研制成功多种多样的半导体量子器件 。
2.
With the development of micro-fabrication techniques and nano-scale science and technology, quantum devices will be the basis of the next generation integrated circuits.
随着微细加工技术与纳米科技的发展,量子器件必将成为下一代集成电路的基础。
5) quantum-dot lasers
量子点激光器
1.
InAs/GaAs quantum-dot lasers grown by GSMBE are reported.
报道了InAs/GaAs量子点激光器GSMBE生长,激光器器件有源区包含了层叠的5层InAs量子点微结构。
6) quantum dot laser
量子点激光器
1.
A new type of quantum dot laser,in which carriers are injected by tunneling is reviewed.
介绍了一种新型的载流子隧穿注入量子点激光器,具体内容涉及量子点激光器研究现状、存在的问题、隧穿注入量子点激光器的工作原理和优势、研究现状等。
2.
The wavelength-gain characteristics between quantum dot laser and other types of semiconductor lasers are compared.
将量子结构中的边界条件应用于薛定谔方程的求解,计算了量子结构中粒子的能量本征值及量子结构激光器的态密度和增益,比较了量子点、量子线、量子阱激光器的波长-增益特性,从能量本征值角度探讨了各种量子结构特性差异的根本原因,阐述了量子点激光器的实现问题,分析结果表明,量子点激光器具有高增益、高单色性的特点。
3.
Through quality improvement of quantum dot material and structure optimization of quantum dot laser material, we have developed high quality strain induced self organized InAlAs/AlGaAs/GaAs quantum dot material and red emitting quantum dot laser which can lase in continuous mode at low temperature.
通过提高量子点材料的质量和优化量子点激光器材料的结构 ,研制出高质量的应变自组装 In Al As/Al Ga As/Ga As量子点材料和低温连续激射的红光量子点激光器。
补充资料：超导量子干涉器件（superconductingquantuminterferencedevices(QSUID)）
超导量子干涉器件（superconductingquantuminterferencedevices(QSUID)）
在磁场中约瑟夫森结两侧超导体的电子对的宏观量子波函数的位相差，受到磁场的空间调制而有变化，这就导致约瑟夫森电流的相干性使隧道电流Ic(H)有类似于光学中的干涉现象。例如有外磁场时的直流约瑟夫森效应中可出现类似于光学中单缝衍射图象就是这样。利用此类相干性制成的器件称超导量子干涉器件，例如直流SQUID和射频SQUID，可大为提高对磁场的灵敏度和分辨率。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条