1) tensile strained InGaAs quasi bulk layers
张应变InGaAs准体材料
2) tensile strained quasi bulk InGaAs
张应变准体InGaAs
3) Strain gauge material
应变材料
4) material strain
材料应变
1.
This system is developed for improving the automatic control level of the experiments process through sampling and processing the experiment data,which is based on present material strain and equipments in laboratory of material mechanics.
系统是基于材料力学实验室环境,针对材料应变实验设备开发的实验数据采集与处理系统。
5) compressively strained InGaAs quantum wells
压应变InGaAs量子阱
6) InGaAs/GaAs strained quantum well
InGaAs应变量子阱
补充资料：偏应变速率张量
偏应变速率张量
deviator strain rate tensor
P lonyingbion suIU zhongl旧ng偏应变速率张量(deviator strain ratetensor)从应变速率张量中扣除球应变速率张量所剩余的应变速率张量。偏应变速率张量是二阶对称张量，它具有二阶对称张量的一切性质。偏应变速率张量可表示成 f后，.云、，云，，飞(后，一云_云、_云__飞截，~}肠心肠}一!‘，几一‘，气f L气忿￡，ez)L几二￡〕心气一几)对于主应变状态，偏应变速率张量为 {已、00)f云1一式00) ev，一10的O}~}oc:一几O} L 00￡，3 J t 00￡3一气{偏应变速率张量也存在三个张量不变量，其表达形式与偏应变张量的不变量相同，即表达式中以偏应变道率分量代替偏应变分量。 (王振范)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条