1) nonlinear recording of hologram grating
非线性记录全息光栅
2) nonvolatile holographic recording
非挥发全息记录
1.
In order to optimize the nonvolatile holographic recording in LiNbO3∶Ce∶Cu crystal with green light,we solved the joint two-center material equations and the coupled wave equations.
为了对在LiNbO3∶Ce∶Cu晶体中绿光作为记录光的非挥发全息记录进行优化,联立求解了双中心物质方程和双光束耦合波方程,数值分析了平均空间电荷场(SCF)和衍射效率随晶体的氧化还原态、记录光与敏化光的光强比以及深浅中心的掺杂浓度的变化。
2.
Based on the band transport model,the two-center nonvolatile holographic recording in(Ce,Cu)∶LiNbO3 has been theoretically investigated and optimized.
根据双中心带输运模型,对(Ce,Cu)∶LiNbO3晶体双中心非挥发全息记录进行了理论研究与优化。
3.
The near-infrared nonvolatile holographic recording has been realized in a doubly doped LiNbO3∶Fe∶Rh crystal by the traditional two-center recording scheme.
采用双中心记录方案在双掺杂LiNbO3∶Fe∶Rh晶体中实现了近红外非挥发全息记录,研究了LiNbO3∶Fe∶Rh晶体在633 nm,752 nm,799 nm波长下的全息记录性能。
3) Nonlinear efeect
非线性记录
4) nonlinear grating
非线性光栅
1.
A sample implementing method of a nonlinear grating device is proposed based on the diffractive theoretical study of nonlinear grating.
通过对"非线性光栅衍射"的理论研究,提出一种简单地实现"非线性光栅"器件的方法,即用矩形光栅与毛玻璃夹有机溶液的方法制作"非线性光栅"。
5) raster nonlinearity
光栅非线性
6) holographic recording
全息记录
1.
SmS optical thin film can be used in holographic recording,optical switching, pressure sensitive device for it’s special structure and phase transition properties.
SmS光学薄膜是一种可用于全息记录的薄膜材料,由于其特殊的结构特点,在全息记录、光学开关、压敏元件等领域具有广阔的应用前景。
2.
Photopolymers for holographic recording with these copolymers as the binders were prepared and studied in terms of photosensitivity,reflective efficiency and space resolution.
结果表明:在实验所测的范围内,含氟光致聚合物全息材料的灵敏度及记录高频信号时衍射效率略有下降,但记录低频信号时衍射效率提高;XPS测定含氟光致聚合物全息材料曝光前后的薄膜面氟氧原子比(F/O)表明,空气中的氧气可能参与了曝光过程;影响全息记录性能的不仅是成膜树脂与光致聚合物的折射差别,组分间相容性也是重要的因素。
3.
In case of holographic recording, dynamic grating was recorded in the BR-D96N film, its characteristic parameter was not light exposure energy but light intensity.
BR D96N用于全息记录时形成的是动态光栅 ,其特征量为光强而非曝光能量。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
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参考词条