1) scattering parameter measurement
散射参数测量
2) scalar scattering parameters
标量散射参数
3) scattering parameter
散射参量
1.
Then the scattering field,the scattering parameter and the equivalent impedance are obtained.
根据缝隙口面切向场的连续条件，采用解析数值法———矩量法，对扇面波导宽壁上窄的斜缝进行了计算，解得了磁流系数及其分布，并得到散射场、等效散射参量及等效阻抗等重要参数。
2.
Auger recombination,and model of calculating scattering parameter (S-Parameter) is established.
针对电吸收调制器集成分布反馈激光器(EAM-DFB)的光电混合和端口散射特征,提出了包含自发辐射和俄歇复合的有源等效电路模型,及其散射参量(S参量)求取模型。
3.
An improved numerical algorithm of Mie scattering parameter is presented in this paper.
本文主要讲述了Mie散射物理参量的一种改进数值算法,在抛弃了Mie散射物理参量的经典算法——连分式算法和后向递推算法之后,在现有利用Matlab计算散射参量的基础上,充分利用了Matlab内置命令集和函数集,得出了任意折射率且尺度参数在10-4~104的球形粒子散射参量的准确计算结果。
4) scattering parameters
散射参量
1.
Then, scattering parameters of circular groove to rectangular waveguide junction were calculated.
采用完全匹配层(PML)将槽波导的开放边界截断为有限区域,然后对圆形槽波导到矩形波导结的散射特性进行了数值计算,得出的散射参量为圆形槽波导振荡器输出结构的优化设计提供了依据。
2.
Two novel equivalent methods,namely predication method and evaluation method,which can be used to analyze the influence of through-hole(TO) packaging on the high frequency response of laser diode,are deduced from the relation between the scattering parameters of laser diode before and after packaging.
通过分析封装前后激光器散射参量之间的关系,推导出可用于分析半导体激光器封装高频影响的两种方法:预测法和评价法,从而提供了分析激光器封装的另外两种等价方法。
5) parameter scattering
参量散射
6) launching parameter measurement
发射参数测量
补充资料：半导体材料电学参数测量
半导体材料电学参数测量
electric parameter measurement for semiconductor material
bondaot一eaillao dlonxue eanshu Cellong半导体材料电学参数测量(eleetric parame-ter measurement for semieonduetor material) 电学参数是半导体材料测量的重要内容。它主要包括导电类型、电阻率、寿命和迁移率测量。 导电类型测量半导体的导电过程存在电子和空穴两种载流子。多数载流子是电子的称n型半导体;多数载流子是空穴的称p型半导体。测量导电类型就是确定半导体材料中多数载流子的类别。常用的方法有冷热探针法、整流法等。冷热探针法是利用温差电效应的原理，将两根温度不同的探针与半导体材料表面接触，两探针间外接检流计〔或数字电压表)形成一闭合回路，根据两个接触点处存在温差所引起的温差电流(或温差电压)的方向可以确定导电类型。整流法是利用金属探针与半导体材料表面容易构成整流接触的特点，可根据检流计的偏转方向或示波器的波形测定导电类型。常用三探针或四探针实现整流接触。霍耳效应亦可测定半导体材料的导电类型。 电阻率测量电阻率是长km，截面积Icm“材料的电阻，它反映了半导体材料导电能力的大小。测量电阻率的方法较多，最基本的有两探针法、直线四探针法、扩展电阻法和专门用于薄片状半导体材料的范德堡法等。两探针法是在一电阻率均匀的规则样品上通过恒定的直流电流，两根沿电流方向排列的探针与样品压触，测量两根探针间的电位差(图1)。 片!遥里熬 图1两探针法测量半导体电阻率示意图 电阻率可用下式计算: :一令又登式中VT为探针间的电位差，mV;I为通过样品的直流电流，mA;A为样品截面积，。m“;L为探针间距，Cm。直线四探针法是用一直线排列的四根探针与一相对于探针间距是半无穷大的样品表面压触，外面探针通过恒定直流电流，测定中间两根探针的电位差(图2)。夔厂- 图2四探针法测量半导体电阻率示意图 样品的电阻率可用下式计算: V。 P=2二S只专望 ‘，~‘、乙魂式中S为探针系数，cm;v23为中间两根探针电位差的测量值，mV;11、为通过样品的电流，mA;对于直线排列的四探针，探针系数S为: s一(冬+粤一尸份一二共-)一: 一、S一53 51+S:52+532式中51、S。和53分别为相应的探针间的距离，cm。
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参考词条