1) nonlinear manifold
非线性流形
1.
As for the discriminant analysis on nonlinear manifold,a geodesic Gabriel graph based local discriminant merging approach was proposed.
针对位于非线性流形上类别数据的判别分析问题,提出了一种基于测地Gabriel图的局部判别器融合算法。
3) nonlinear flow curve shapes
非线性渗流形态
4) nonlinear flow
非线性流
1.
The analytical solution describing seepage velocities and draw\|downs both in linear and nonlinear flow zone have been derived,in case there is a nonlinear flow zone near the pumping well in the investigated aquifer which is extending infinitely with constant thickness.
文中针对在均质等厚、无限分布的承压含水层中 ,以定流量抽水时 ,抽水主孔附近含水层会存在非线性流区域的问题 ,根据水量平衡原理 ,分别建立了线性流区域和非线性流区域的水流运动方程 ,采用Boltzmann变换对其求解 ,得到了计算两个区域中任一点的渗流速度和水位降深的解析公式 。
5) non-linear flow
非线性流
1.
Based on numerical reservoir simulation method and taking Reynolds number of flow as the criteria of non-Darcy flow,systematic analysis of non-linear flow generating condition and influence factors was performed for oil-water two-phase flow.
将渗流雷诺数作为非达西流产生的判定条件,基于油藏数值模拟方法,对油水两相渗流中非线性流产生条件及影响因素进行系统分析。
6) linear manifold
线性流形
1.
One kind of inverse problems for symmetric orthogonal anti-symmetric matrices on the linear manifold;
线性流形上对称正交反对称矩阵反问题的最小二乘解
2.
The least-squares solutions of inverse problems for anti-skew-symmetric on the linear manifold;
线性流形上反次对称矩阵反问题的最小二乘解
3.
Least-square solutions of inverse problems of W-almost symmetric matrices on the linear manifold
线性流形上W准对称矩阵反问题的最小二乘解
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条