1) ultimate MOSFET
终极MOSFET
2) bulk MOSFET limit
体MOSFET极限
3) bipolar compatible MOSFET
双极兼容MOSFET
4) ultimate
[英]['ʌltɪmət] [美]['ʌltəmət]
终极
1.
Since the Han Dynasty when the "sole veneration of Confucianism" was realized, as a main Confucian Classic and with its grand narration and ultimate concern threading through the heaven, earth, and human, Yi affected the scholars academic interests and caused them to devote most of their energy to history-orientated "human affairs" instead of the research of the law of nature, i.
而汉以来"独尊儒术"的实现,《易》作为儒家主要经籍以其"仰观天文,俯察地理,中知人事"的宏大叙事与终极关怀,影响了经学时代中国学者的学术兴趣,导致他们将绝大多数精力投入到了以史学为主的"人事"中而非自然事物的研究对象与形而下的研究路径。
2.
Although Tolstoyism has shown its limitations in a certain historical period, the caring for the ultimate aims of human spirit and its positive meaning to the future are revealing and will be attached importance to with the development of society and the advancement of the time.
尽管在某个历史阶段显示了它的局限性 ,但是 ,随着社会历史的发展和时代的进步 ,它对人生的关注、对人类精神的终极目标的关怀 ,对未来的积极意义将显示出来并引起重视。
3.
Accordingly,Bellow builds up the ultimate pursuit of transcending self.
加缪以形而上的体验确认人之自我与世界、与他者之间存在"荒诞的墙",故强调坚持自我,承认并坚守人生自我的限度,可以说悲剧性地触及了人生存在的真实底线;贝娄则在社会文化层面注意到人之自我总会不期而遇他者的介入,寻找自我这一行动在精神上常常会演变成对他者的寻求,从而树立起某种超越自我的终极性追求。
5) Ultimate care endless
终极无极
6) ultimate concern
终极关怀
1.
From “realistic individual”to the “free character” ——On Marx ultimate concern thought;
从“现实的个人”到“自由个性”——论马克思视野中的终极关怀思想
2.
Paul Tillichi’s Theory of Ultimate Concern and Its Enlightenment to Religion Conversation;
蒂利希“终极关怀”理论及其对宗教对话的启示
3.
Approach of Wisdom in Personality Concern——Feng Qi s Thought of Ultimate Concern;
智慧化的人格关怀——论冯契的终极关怀思想
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条