非线性盲分离,nonlinear blind source separation,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) nonlinear blind source separation 点击朗读

非线性盲分离

2) nonlinear blind signalseparation 点击朗读

非线性盲信号分离

3) nonstationary blind source separation 点击朗读

非平稳盲源分离

The nonstationary vibration sources that are mutually independent can be effectively identified by using the nonstationary blind source separation(method) from the multi-channel fault vibration signals.

针对不同时频分布的非平稳盲源分离算法,比较了它们的分离效果。

4) nonlinear separation model 点击朗读

非线性分离模型

Predictive control based on nonlinear separation model; 点击朗读

基于非线性分离模型的预测控制及其应用

This dissertation puts forward a method of designing the suboptimal strong tracking filter, which is based on the approximation error upper bound of nonlinear separation model and applied to design feedback corrected controller in predictive control.

本文提出了_种基于非线性分离模型逼近偏差上限的次优强跟踪滤波器设计方法，运用到预测控制中反馈校正的设计。

A nonlinear separation model which is composed of nonlinear static element,linear dynamic element and integral element is proposed.

针对实际非线性过程控制的复杂性,提出了一种非线性分离模型用于描述非线性动态过程,在此基础上提出了一种基于非线性分离模型的预测控制方法。

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5) nonlinear separation strategy 点击朗读

非线性分离法

6) nonseparability 点击朗读

非分离性

补充资料：半导体非线性光学材料

半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials

载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。

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参考词条

非线性离散时间分析盲源分离盲分离半盲分离

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 非线性盲分离 1) nonlinear blind source separation 非线性盲分离 2) nonlinear blind signalseparation 非线性盲信号分离 3) nonstationary blind source separation 非平稳盲源分离 1. The nonstationary vibration sources that are mutually independent can be effectively identified by using the nonstationary blind source separation(method) from the multi-channel fault vibration signals. 针对不同时频分布的非平稳盲源分离算法,比较了它们的分离效果。 4) nonlinear separation model 非线性分离模型 1. Predictive control based on nonlinear separation model; 基于非线性分离模型的预测控制及其应用 2. This dissertation puts forward a method of designing the suboptimal strong tracking filter, which is based on the approximation error upper bound of nonlinear separation model and applied to design feedback corrected controller in predictive control. 本文提出了_种基于非线性分离模型逼近偏差上限的次优强跟踪滤波器设计方法，运用到预测控制中反馈校正的设计。 3. A nonlinear separation model which is composed of nonlinear static element,linear dynamic element and integral element is proposed. 针对实际非线性过程控制的复杂性,提出了一种非线性分离模型用于描述非线性动态过程,在此基础上提出了一种基于非线性分离模型的预测控制方法。更多例句>> 5) nonlinear separation strategy 非线性分离法 6) nonseparability 非分离性补充资料：半导体非线性光学材料半导体非线性光学材料 semiconductor nonlinear optical materials 载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条

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