1) PMOSFET
P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管
2) buried-channel PMOSFET
埋沟P型金属-氧化物-半导体场效应晶体管
3) p-type
p型
1.
Effects of Substrate Temperature on the Properties of N-doped p-type ZnO Films Deposited by DC Reactive Sputtering;
衬底温度对直流反应磁控溅射法制备的N掺杂p型ZnO薄膜性能的影响(英文)
2.
Recent Research of Cu-based Transparent Conducting Materials with p-type;
p型含铜透明导电材料的新进展
3.
First-principles Calculation on Codoping Structure of p-type ZnO;
氧化锌p型共掺杂精细结构的第一性原理研究
4) P type
P型
1.
Serotyping and genotyping of G and P types of rotavirus from infantile diarrhea in Fujian Province;
福建省婴幼儿腹泻轮状病毒G型和P型的分型研究
2.
The growth techniques of P type GaN and Al 0 13 Ga 0 87 N by MOVPE, including the doping dosage and thermal anneal, and their influences on the electrical property of the materials are studied.
研究了MOVPE方法外延P型GaN和Al0 13Ga0 87N的生长工艺 ,包括掺杂剂量和热退火条件 ,对材料电学性质的影响。
5) type p
P型
6) p-type
p-型
参考词条
补充资料：金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
金属-氧化物-半导体场效应管（metal-oxide-semiconductorfieldeffecttransistor,MESFET）
JFET和MESFET两种场效应管工作原理都是利用两个反偏pn结（或肖特基结）控制沟道电流。如不用pn结，而由栅极上的外加电压透过一层绝缘体对沟道电流进行控制，这种结构中栅极与沟道之间是绝缘的，绝缘层可以选用SiO2、Si3N4和Al2O3等，以使用SiO2最为普遍。在p型衬底上扩散两个n 型区，分别是漏极和源极。中间部分是金属-绝缘体-半导体组成的MOS电容结构，绝缘层上的金属电极称为栅极。栅极上不加电压时，源和漏极之间由其周围的结绝缘着，故不通导。当栅极加上电压，栅下氧化层中产生电场，其电力线由栅电极指向半导体表面，外加电压将在半导体表面产生表面感应电荷。随着栅极电压的增加，半导体表面将由耗尽而反型，产生电子积累，从而形成一个感生的n型表面薄层，因为其导电类型与衬底的导电类型相反，故称此表面薄层为反型层。反型层成为连接源、漏极的沟道。改变栅压，可改变沟道中电子密度，从而改变沟道电阻。若衬底是n型半导体，则可构成p型沟道的MOSFET。
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