1) W/TiN metal gate
W/Ti N金属栅
1.
7nm) with a W/TiN metal gate electrode,metal gate CMOS devices with sub-100nm gate length are fabricated in China for the first time.
在国内首次将等效氧化层厚度为1·7nm的N/O叠层栅介质技术与W/Ti N金属栅电极技术结合起来,用于栅长为亚100nm的金属栅CMOS器件的制备。
2) W-Ti alloy
W-Ti合金
1.
Influence of mechanical alloying on structure and properties of W-Ti alloy
机械合金化对W-Ti合金组织与性能的影响
2.
The W-Ti alloys prepared by both methods have low impurity contents.
以高纯钨粉、钛粉和TA2钛片为原料,分别采用液相烧结法和熔渗法制备了Ti含量为10%的W-Ti合金;测量了W-10%Ti合金的密度和杂质(C、N和O)含量,研究了不同方法制备的W-Ti合金的相组成和微观形貌。
3) Ti(C,N)w/Ti(C,N)-based ceramets
Ti(C,N)w/Ti(C,N)基金属陶瓷
4) Ti-W-N film
Ti-W-N多元膜
5) Ti-Al-Nb-B-W alloy
Ti-Al-Nb-B-W合金
1.
The microstructures of as-cast and as-annealed Ti-Al-Nb-B-W alloy were observed.
对铸态及经过热等静压和均匀化处理后Ti-Al-Nb-B-W合金的微观组织进行了观察和分析,研究了元素钨对Ti-Al-Nb-B-W合金的铸态及均匀化处理态微观组织的影响。
补充资料：Ti_(3)Al基合金(金属间化合物)涡轮导风板
Ti_(3)Al基合金(金属间化合物)涡轮导风板
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参考词条