补充资料：传感器半导体材料

传感器半导体材料
semiconductor materials for transducers

传感器半导体材料semieonduetor materials fortransdueers具有换能特性，用于制作传感器的半导体材料的总称。又称半导体敏感材料。 电学测量灵活、准确、快捷、方便。传感器是将非电量信号转换成便于测量的电信号的器件以便对非电信号进行测量。传感器半导体材料是可将其他形式能量转换为电能的半导体材料。 传感器半导体材料种类繁多，主要有:元素半导体51、Ge;m一V族化合物 GaAs、GaP、InAs、Insb等;11一VI族化合物CdS、Cdse等;金属氧化物SnOZ、ZnO、FeZO3以及几种金属氧化物经高温烧结而成的半导体陶瓷、多元化合物Bi一Se一Te、Hg一Cd一Te等，此外还有新开发的有机半导体材料，如酞蔷金属化合物等。 传感器对材料的最基本要求是换能效率高，易制成器件。本征半导体具有合适的禁带宽度，掺杂的或有缺陷的半导体，具有附加能级，在光、热、压力、气体吸附等外界条件作用下，能迅速地引起载流子浓度的变化或影响载流子行为的效应，从而可将非电信号转换为电信号，其灵敏度高，远优于其他材料。其次，先进的半导体集成电路工艺，提供了扩散、光刻、蒸发、溅射、定向腐蚀及封装等一系列工艺条件。可将与此兼容的半导体材料制成多种微型化、高精度、重复性好、造价低廉、可大规模生产的传感器，并可制成具有高放大系数的晶体管，实现集成化及与计算机接口。制做传感器是半导体材料的重要应用领域。 传感器半导体材料按制成传感器的测量对象分，有物理传感器半导体材料与化学生物传感器半导体材料。物理传感器半导体材料能将非电的物理量(光、热、力、磁等)转换为可测的电信号的半导体材料。对此类材料的主要要求是敏感系数大、重复性好，对被测量以外的外界影响不敏感。物理传感器半导体材料可分为压力敏感半导体材料、热敏半导体材料、光敏半导体材料和磁敏半导体材料。 压力敏感半导体材料可将压力转换为电信号的半导体材料。按其换能效应原理，可分为以下两种。 ①压阻半导体材料:如51、Ge、Insb、GaP等。这类材料受外力作用时，产生晶格形变。晶格的距离改变，导致禁带宽度及载流子在电场下的运动状态发生变化，促使电阻率改变。实际应用中，常将硅片经研磨、腐蚀等加工成弹性膜片，并在其上用扩散掺杂法制成4个电阻，以桥式电路测定因压力而引起的电阻改变值。材料需选择合适的晶向，如N型硅材料以〔11印和〔1功〕有最大的压阻系数。实用中还常做成应变片、感压二极管和晶体管。

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