1) semiconductor protection device
半导体保护器件
1.
In order to improve the main parameters of semiconductor protection device,its theory is introduced simply.
为改善半导体保护器件的主要特性参数,通过对半导体保护器件基本原理的简单论述,深入研究了阴极短路结构的相关理论,分析了阴极短路区结构和工艺对半导体保护器件主要特性参数的影响,提出了优化半导体保护器件主要特性参数的一些方法。
2.
Semiconductor protection device is a new type of Transient Voltage Suppresser(TVS).
本文对半导体保护器件的基本结构—晶闸管进行了深入的研究,运用理论分析结果对半导体保护器件LT62090的结构参数和工艺参数进行了设计;在工艺研究和大量实验工作的基础上,系统地分析了各项工艺参数和结构参数对器件性能的影响,并完成了版图设计和流片验证。
3) fuse for protection of semiconductor device
半导体器件保护用熔断器
4) silicon semiconductor devices/surface protection
硅半导体元件/表面保护
5) semiconductor overvoltage protector
半导体过电压保护器
6) Semiconductor devices
半导体器件
1.
Accelerators simulation experiment on single event effects in semiconductor devices;
半导体器件单粒子效应的加速器模拟实验
2.
In order to improve the forward conduction characteristics of silicon semiconductor devices, a comprehensive study of the influences of boron diffusion, phosphorous diffusion, doping concentration distribution in P~+-P region of sintered Al-Mo electrode and the minority carrier life on the forward conduction characteristics is performed.
为提高硅半导体器件的正向导电特性,文中对器件浓硼扩散、磷扩散和烧结铝电极后P~+-P区掺杂浓度分布、少子寿命等因素的影响进行了实验研究。
3.
They have extensive application prospect in fields such as high brightness light emitting diodes,short wavelength laser diodes,high performance UV detector,and high temperature,high frequency,large power semiconductor devices.
GaN具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速度大和介电常数小等特点,在高亮度发光二极管、短波长激光二极管、高性能紫外探测器和高温、高频、大功率半导体器件等领域有着广泛的应用前景。
补充资料：半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
半导体导电性(见半导体的导电与电荷输运)
electrical conductivity of semiconductor
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说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条