1) resonantly enhanced nonlinearity
共振增强非线性
1.
It influences the electronic dipole-dipole interaction and the resonantly enhanced nonlinearity of erbium ions.
分析了发射谱线宽度对4,壳层电子相关性、电子偶极—偶极相互作用及共振增强非线性的影响。
2) Nonlinear resonance
非线性共振
1.
The oretical study on nonlinear resonances of a charged micro-particle in a RF sheath;
尘埃颗粒在射频等离子体鞘层中的非线性共振现象的理论研究
2.
The relationship between the nonlinear resonance and halo formation induced by space charge has been studied by means of the particle core model in this paper.
采用束核 单粒子模型研究强流束中由空间电荷引起的非线性共振与束晕形成的关系。
3.
The nonlinear resonance, chaos and halo formation in space charge dominated beams have been studied.
研究强流束中的非线性共振、混沌与束晕形成的关系 。
4) resonant enhancement
共振增强
1.
The optical properties of two derivatives were discussed using the theories of π-electron conjugated structure and resonant/non-resonant enhancement,respectively.
采用吸收光谱、荧光光谱和皮秒Z-扫描等实验方法研究了侧链长度的不同对聚[2-甲氧基-5-(2′-乙基-己氧基)]对苯乙炔(MEH-PPV)和聚(2,5-二辛氧基)对苯乙炔(DO-PPV)两种聚对苯乙炔(PPV)衍生物光学性质的影响,并用π-电子共轭结构理论和共振、非共振增强理论进行了分析。
2.
The optical properties of the three compounds were discussed on the basis of π-electron conjugated structures and resonant/non-resonant enhancement.
主要采用吸收光谱、荧光光谱和皮秒Z-扫描等实验方法研究了三种不同取代基的卟啉化合物5,10,15,20-四对羟基苯基卟啉[T(4-HP)P]、5,10,15,20-四对酯基苯基卟啉[T(4-EP)P]和5,10,15,20-四对溴苯基卟啉[T(4-BrP)P]的光学及非线性光学性质,并从离域电子共轭结构理论和共振、非共振增强理论进行了分析。
5) Resonance enhancement
共振增强
1.
Theoretical investigation on dispersion effect and two-photon resonance enhancement of molecular first hyperpolarizability;
有机分子第一超极化率色散效应和双光子共振增强理论研究
2.
Resonance enhancement appears as the 2s and 3p states are both bound in outer well, and a resonance enhancement peak has been found at the “collapse point”.
2s,3p态都被限制在外阱时出现共振增强,在坍塌点发现共振增强峰。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条