1) nonlinear expanding of gray histograms
灰度直方图非线性拉伸
2) Gray histogram curve
灰度直方图曲线
3) histogram extension
直方图拉伸
1.
Image enhancement algorithm based on histogram extension and its implementation
基于直方图拉伸的图像增强算法及其实现
5) gradation histogram
灰度直方图
1.
By using the image processing function and programming tomography,the following functions are realized: the contour line,edge line and gradation histogram of medical images are displayed;the selected regions of medical images are freely zoomed;the gray level of discretional regions is displayed using medical image processing tool and the distance of the given points is freely measured.
0图像处理函数和编程技巧,可展示医学图像的轮廓线、内部组织的边缘线和灰度直方图,对图像选定区域进行自由放大和缩小,利用图像处理工具显示任意区域的灰度值,并能自如测量两点间的距离,可以对图像分割技术中的不同方式进行灵活对比,为临床诊断提供有用的参考。
6) gray level histogram
灰度直方图
1.
This paper simulates the image s gray level histogram with a series of Gaussian functions, and calculates the optimal thresholds between different neighboring Gaussian functions, and then separates the needed area from the whole image.
以图像分割为基础,采用自适应旋转投影分解法,用一组高斯函数来拟合图像的灰度直方图,计算出相邻高斯函数间的最优阈值,从而将待计算部分从图像中分割出来;采用数字图像分割方法,便于计算各种复杂形状的面积。
2.
In this paper, adaptive oriented orthogonal projective decomposition is used to decompose the gray level histogram of image with complex background into the combination of several Gauss density functions.
文中使用了自适应定向正交投影分解算法将复杂图像的直方图分解为多个高斯分布的组合,进而将灰度区间划分为多个子区间并计算出灰度直方图在这些子区间上的面积,而目标在图像中的成像面积是可以预先作出估计的,从而利用两者之间的关系给出分割图像的阈值,实现对图像的分割。
3.
The threshold methods of image segmentation are surveyed in this article, especially those based on the gray level histogram.
本文对现有的各种图像阈值分割方法进行综述,重点介绍了基于图像灰度直方图的阈值分割方法。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条