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1)  nitridation
氮化法
2)  nitriding methods
氮化方法
3)  thermal nitridation
热氮化法
1.
SiO_xN_y ultra thin films were grown by thermal nitridation with NiO and NH_3 used as the react gas respectively.
利用α—台阶仪测量了SiO_xN_y薄膜的厚度,实验研究了Si衬底晶向、氮化温度、生长时间和氮化气氛对SiO_xN_y薄膜厚度的影响,定性地讨论了热氮化法制备SiO_xN_y薄膜的生长机制。
4)  non-diazotiation method
非重氮化法
5)  physical-chemical nitrogen removal
物化法脱氮
6)  carbothermal reduction nitridation method
碳热-氮化法
补充资料:氮化硅晶须补强氮化铝陶瓷基复合材料
分子式:
CAS号:

性质:以氧化铝陶瓷为基体,氮化硅晶须为增强体的复合材料,是一种性能优异的耐高温结构陶瓷。加入氮化硅晶须,可使氧化铝陶瓷的强度、韧性、抗热震性等得到明显的改善。在氧化铝基体中,加入20%(质量)氮化铝晶须制得的复合材料基强度提高了约50%,断裂韧性KIC达到氧化铝基体的1.5倍。这种材料可用于机械受力及耐磨部件以及作为耐热、耐腐蚀部件。

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