1)  InGaAsP-InP
InGaAsP-InP
1.
The temperature characteristics of 808 nm InGaAsP-InP SQW lasers have been investigated in a heat-tight system by analyzing their structure.
从InGaAsP-InP单量子阱激光器结构分析入手,采用自行设计的热封闭系统对808nmInGaAsP-InP单量子阱激光器热特性进行了研究·实验表明,在23-70℃的温度范围内,器件的功率由1。
2)  InGaAsP/InP
InGaAsP/InP
1.
The Fabrication of 10 ×10 InGaAsP/InP Array Waveguide Grating;
10×10InGaAsP/InP阵列波导光栅器件的研制
3)  InGaAsp/InP heterojunction
InGaAsp/Inp异质结
4)  InGaAsP/InP double heterostructures
InGaAsP/InP双异质结构
5)  InGaAsP/InP heterostnjcture
InGaAsP/InP异质结构
补充资料：indium phosphide (inp)
CAS：22398-80-7
中文名称：磷化铟；磷化铟晶体INP
英文名称：indium phosphide；indium monophosphide；indium phosphide (inp)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。