1) Si-based sensor
硅基传感器
2) silicon sensor
硅传感器
1.
Thermodynamic analysis and experiment of auxiliary electrode silicon sensor;
辅助电极型硅传感器的热力学分析与实验
2.
Researching progress on auxiliary electrode silicon sensor;
辅助电极型硅传感器的研究进展
3.
The silicon in high carbon metallurgical melt was tested with a developed Mg2SiO4(s)+MgO(s) silicon sensor.
用研制的Mg2SiO4(s)+MgO(s)硅传感器,对高碳冶金熔液中的硅进行了测量,发现辅助电极的物相结构和熔体中的氧含量对测量结果有明显的影响。
4) Silicon resistance sensor
硅阻传感器
5) piezoresistive sensor
硅压阻传感器
1.
The li near errors and high order errors of a sensor (especially piezoresistive sensor) can be corrected by using this system.
该系统可以补偿传感器 (特别是硅压阻传感器 )温度误差的线性部分和高阶非线性部分。
6) Silicon Pressure Sensor
硅压力传感器
1.
To develop a wireless intracranial pressure monitor, a silicon pressure sensor was used as the sensing head.
采用硅压力传感器作为敏感元件 ,用双桥法实现温度补偿 ,通过电压 /频率变换将压力信号转换为音频频率信号并利用无线调频发射 /接收进行传输 ,由单片机控制进行定时采样、数字滤波、标度变换、报警判断、显示、打印以及串行数据发送等处理 。
2.
The paper describes that a silicon pressure sensor with plate graph CAD software design is carried out on IBM and its series of compatible microcomputers.
介绍在IBM及其兼容系列微型机上,实现硅压力传感器版图CAD软件的设计方法。
3.
Under the guide of Finite Element Analysis (FEA) theory, we analyzed and simulated a series of SOI single crystal silicon pressure sensor by using ANSYS software.
利用有限元分析方法、借助 ANSYS软件 ,对 SOI单晶硅压力传感器进行一系列的分析和计算机模拟 ,探讨了传感器应变膜在固定宽度或固定面积条件下、宽长比对理论输出的影响 ,以及应变膜厚度对理论输出的影响 ,给出了设计应变膜的优化方案 ;并对根据模拟结果首次制作的 SOI单晶硅压力传感器进行了测量 ,结果与理论值符合得较
补充资料:9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
CAS: 17962-89-9
分子式: C11H20N4OSi2
中文名称: 9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
英文名称: 9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9H-Purine
O6,9-bis(Trimethylsilyl) hypoxanthine
9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9h-purin
分子式: C11H20N4OSi2
中文名称: 9-三甲硅基-6-[(三甲硅基)氧]基-9H-嘌呤
英文名称: 9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9H-Purine
O6,9-bis(Trimethylsilyl) hypoxanthine
9-(trimethylsilyl)-6-[(trimethylsilyl)oxy]-9h-purin
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条