1) microwave breakdown
微波击穿
1.
Experimental study of the microwave breakdown characteristics of passive tritium TR-tubes;
氚型TR管微波击穿特性的实验研究
2.
When high power microwave is induced to the transformer,microwave breakdown will first occur at the end of the probe.
数值模拟表明:转换器探针的精细结构会对计算结果产生很大影响;在大功率微波注入时,微波击穿将首先发生在转换器探针的底部。
2) Breakdown field
微波击穿场强
3) micro-arc breakdown
微弧击穿
1.
The micro-arc breakdown at different coating-forming voltages was discussed with respect to experiment and calculation,and the correlation between the coating thickness and coating-forming voltage was analyzed.
用测量法和计算法证明了各形成电压范围下微弧击穿的后果及涂层厚度与其形成电压的密切关系。
4) microscopic break down
微观击穿
5) micro-shock waves
微冲击波
1.
An impact model of multi-flyer plates was used to research the energy deposition as well as the arising and dissipation of micro-shock waves caused by impact of particles in explosive consolidation of powders.
用多层片组冲击动力模型研究了粉末材料爆炸压实过程中颗粒间碰撞引起的能量沉积和微冲击波的发生、耗散过程。
6) microwave vegetation penetration index
微波穿透指数
1.
In this paper,we study the relationship of microwave vegetation penetration index MVI and optical vegetation index NDVI,using AMSR-E and modis data.
利用AMSR-E和MODIS数据,探讨了微波穿透指数MVI与光学植被指数NDVI的关系。
补充资料：pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
pn结击穿（electricalbreakdownofp-njunction）
对pn结施加的反向偏压增大到某一数值VBR时，反向电流密度突然开始迅速增大的现象称为pn结击穿。发生击穿时的反向电压称为pn结的击穿电压。
击穿电压与半导体材料的性质、杂质浓度及工艺过程等因素有关。pn结的击穿从机理上可分为雪崩击穿、隧道击穿和热电击穿三类。前两者一般不是破坏性的，如果立即降低反向电压，pn结的性能可以恢复；如果不立即降低电压，pn结就遭到破坏。pn结上施加反向电压时，如没有良好散热条件，将使结的温度上升，反向电流进一步增大，如此反复循环，最后使pn结发生击穿。由于热不稳定性引起的击穿，称为热电击穿，此类击穿是永久破坏性的。pn结击穿是pn结的一个重要电学性质，击穿电压限制了pn结的工作电压，所以半导体器件对击穿电压都有一定的要求。但利用击穿现象可制造稳压二极管、雪崩二极管和隧道二极管等多种器件。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
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