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1)  Intrinsic breakdown field
本征击穿电场
2)  Intrinsic breakdown
本征击穿
3)  breakdown electric field
击穿电场
1.
It is found that the sample with x(MnCO3) 008% presents the highest nonlinear coefficient(α=82),the highest potential barrier height(φB=111 eV),and the highest breakdown electric field (E10=4668 V/mm).
11eV),最高的击穿电场(E=466。
4)  electric breakdown strength
电击穿场强
1.
We studied the fractured morphology,aggregate structure,thermal stability,mechanical property and electric breakdown strength of hybrid films.
用不同用量硅烷偶联剂处理纳米Al2O3粉体,并借助超声波以一定方式将其均匀分散于聚酰胺酸溶液中,制备出不同偶联剂用量的PI/纳米Al2O3杂化薄膜,并对该杂化薄膜的断面形貌、聚集态结构、热稳定性、力学性能、电击穿场强进行表征测试分析。
2.
In this paper, electric breakdown strength of solid dielectric thin films is discussed theoretically, and the existing measure methods and the data obtained by numerous r.
它们的电击穿场强是一个特殊的特性参数。
3.
Silicon oxide films were prepared by RF magnetron reactive sputtering on a monocrystalline silicon wafer;and the composition and influence of the preparation process on the surface morphology and electric breakdown strength were studied.
采用射频磁控反应溅射法在单晶硅片上制备了氧化硅(SiOx)薄膜,分析了薄膜的主要成分,研究了制备工艺对薄膜表面形貌和电击穿场强的影响。
5)  Brokendown electric field intensity
击穿电场强度
6)  breakup field
临界击穿电场
补充资料:本征函数和本征值
      算符弲作用于函数f(r)上, 得出另一个函数。若算符弲作用于一些特定的函数Ui(r)上(i=1,2,...)结果等于一常量乘同一函数,即,
  则常数Fi称为算符弲的本征值,ui(V)称为属于这个本征值的本征函数。上式称为算符弲的本征值方程。
  
  在量子力学中,一个力学量所可能取的数值,就是它的算符的全部本征值。本征函数所描写的状态称为这个算符的本征态。在自己的本征态中,这个力学量取确定值,即这个本征态所属的本征值。
  

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