1) bias-cooling
偏压降温
1.
The memory effect is due to the deep levels induced by the QD layer,and rather than the charging and discharging of intrinsic energy levels in QDs,which is demonstrated by the hysteresis,real-time and bias-cooling C-V measurements.
在室温下通过对InAs/GaAs量子点存储器的延滞回线、偏压降温C-V等特性的实时测试,证明了其存储机理是由量子点层的深能级引起的,而并非是由量子点本征能级的充、放电所造成的。
2) isothermal pressure drop
等温压降
3) Decompression and cooling
减压降温
4) non-isothermal pressure drop
非等温压降
5) pressure and temperature reducing valve
降温减压阀
6) high-temperature reverse-bias (HTRB)
高温反向偏压
补充资料：后期降温
分子式：
CAS号：
性质： 用直接蒸汽硫化厚壁橡胶制品时，常在保持硫化温度的后期阶段把硫化温度缓慢地降下来，最终到达硫化时间。以使硫化后期产品内外受热均匀。
CAS号：
性质： 用直接蒸汽硫化厚壁橡胶制品时，常在保持硫化温度的后期阶段把硫化温度缓慢地降下来，最终到达硫化时间。以使硫化后期产品内外受热均匀。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条