1) Longitudinal step-doped
纵向阶跃掺杂
3) Stepped doping
台阶掺杂
4) step doping profile
阶梯掺杂
1.
An analytical breakdown model for thin epitaxial RESURF device with step doping profile drift is presented in this paper.
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。
2.
An analytical breakdown model for thin drift region RESURF LDMOS with a step doping profile is presented.
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型。
5) Step doping drift region
阶梯变掺杂
6) variety lateral doping
横向变掺杂
补充资料：电量阶跃法
分子式：
CAS号：
性质：在开路情况下将很短的电流脉冲(如0.1～1μs，它只能引起双电层的充电)施加于电解池，要求脉冲有固定的电量，脉冲形状可不考虑。记录脉冲之后电极电势随时间的变化，这是在开路的条件下由充入的固定电量引起的电极反应，故可避免欧姆电阻及非法拉第电流的干扰。对电势响应进行解析，可求得电极反应的各种参数，该法的电极标准速率常k0值测定上限可达约0.4cm·s-1。
CAS号：
性质：在开路情况下将很短的电流脉冲(如0.1～1μs，它只能引起双电层的充电)施加于电解池，要求脉冲有固定的电量，脉冲形状可不考虑。记录脉冲之后电极电势随时间的变化，这是在开路的条件下由充入的固定电量引起的电极反应，故可避免欧姆电阻及非法拉第电流的干扰。对电势响应进行解析，可求得电极反应的各种参数，该法的电极标准速率常k0值测定上限可达约0.4cm·s-1。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条