1) solid state drive(SSD)
固态电子盘
2) electrical diskette
电子固体盘
3) solid-state electronics
固态电子学
1.
2THz continuous-wave imaging method based on solid-state electronics and quasi-optics is studied.
本文简要地综合了THz信号的产生与检测方法以及THz成像技术的发展概况,基于固态电子学和准光学技术研究了一种0。
4) solid state quantum electronics
固态量子电子学
5) solid-state disk
固态盘
1.
The current modeling techniques for solid-state disks are studied.
分析了外存储设备建模技术的研究现状,设计了一种固态盘存储系统模型,并应用该模型定量分析了提升固态盘性能的几项主要技术。
6) SSD
固态盘
1.
By using RAMDISK the technology of virtual memory, a faster disk, the problem of SSD no CACHE and the limit of write number times is solute.
本文通过分析PC存储性能问题,在现有技术的基础上研究如何改进存储性能,提出加速存储的设计原则,根据现有的三个方案提出一个以固态盘为核心的新方案,最后对新旧方案进行测试实验并对比各个方案。
补充资料:固态电子器件
固态电子器件 solid state electronic device 利用固体内部电子运动原理制成的具有一定功能的电子器件。固体一般可分为绝缘体、半导体和导体3类。半导体的电学性能容易受各种环境因素如掺杂、光照等的控制,易于制成电子功能器件,因此绝大部分的固态电子器件是用半导体材料制成的,有时也称为半导体电子器件。半导体中可移动的带电粒子可为电子、空穴或离子。电子是带负电荷的粒子,空穴是带正电荷的准粒子,离子可带负或正电荷。离子导电的半导体在导电过程中伴有本身成分的化学变化,因而不宜作电子功能器件。电子导电的半导体简称N型半导体。空穴导电的半导体简称P型半导体。锗、硅半导体材料中掺入微量的磷、砷或锑就成为N型半导体;掺入微量的硼、镓或铝,就成为P型半导体。N型半导体和P型半导体连接起来就成为一个PN结。PN结是许多固态电子器件的基本单元结构。PN结具有整流特性,通电流时,一个方向的电阻很小,另一个方向的电阻很大。反向偏置时,PN结还可同一个电容器等效。 固态电子器件是20世纪40年代发展起来的。30年代固体电子论的进展和40~50年代锗、硅材料工艺的进展,奠定了后半个世纪固态电子器件飞速发展的基础。1947年W.H.布喇顿和J.巴丁发明的第一个固态放大器点接触晶体管,是固态电子器件的发展过程中一个划时代的事件。固态电子器件种类繁多,应用十分广泛,从器件的结构来看,大致可分为两端器件(各种晶体二极管)和三端器件(各种晶体三极管)。此外还有一些特殊的器件,如晶闸管、电荷耦合器件、霍尔器件、温差致冷元件、波导器件以及传感器等。同真空电子器件相比,固态电子器件体积小、重量轻、功耗小、高可靠、易集成,可以实现电子系统的微型化,是现代集成电路的基础。除了用于大规模和超大规模集成电路,固态电子器件还广泛应用于其他各领域,如微波通信、红外探测、光纤通信、固体成像、能量转换等。固态电子器件所用的材料主要是半导体硅和砷化镓材料。随着固体新材料的不断出现和工艺技术的不断成熟,新型固态电子器件也在不断出现,如各种超导器件、非晶态半导体器件以及超晶格量子构器件等。 |
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参考词条