1) noise immunity
噪声容限
1.
Two new circuit techniques to suppress leakage currents and enhance noise immunity while decreasing the active power are proposed.
提出了两种新的电路技术,在降低多输入多米诺“或门”的动态功耗的同时减小了漏电流,并提高了电路的噪声容限。
2) noise-margin
噪声容限<声>
3) SNM
静态噪声容限
1.
Some problems such as static-noise margin(SNM) caused by reducing bitline voltage are also discussed in this paper.
同时本文还分析了由于位线电压降低带来的静态噪声容限(SNM)等问题。
2.
The analytical Static Noise Margin (SNM) model for Very Deep Submicron (VDSM) SRAM memory cell is developed, which is based on physical α power MOSFET model.
采用基于物理模型的 α指数 MOSFET模型 ,对超深亚微米 (VDSM:Very Deep Submicron) SRAM存储单元的静态噪声容限 (SNM:Static Noise Margin)进行了解析分析 ,分析中考虑了随机工艺涨落造成的VDSM SRAM存储单元阈值失配对 SNM的影响 ,结果与 HSPICE仿真相符 ;文中同时分析了栅宽与 SNM的关系 ,其结论与实验结果一致 ,并给出了 VDSM SRAM存储单元设计中应注意的问
3.
The basic principles, advantages, disadvantages and an important parameter named SNM (static noise margin) of a SRAM (static random access memory) 6 Transistor (6T) storage cell were analyzed and summarized firstly.
文章首先分析了静态随机存储器(SRAM)6T存储单元结构的基本工作原理,总结了6T存储单元的优缺点并介绍了存储单元的重要参数静态噪声容限(SNM)。
4) Cell Noise Margin
单元噪声容限
5) ground-noise margin
背景噪声容限
6) ground-noise margin
本底噪声容限
补充资料：复合材料损伤容限
复合材料损伤容限
damage tolerance of composites
复合材料损伤容限damage toleranee。f com-posites设计容许的裂纹增长速度。在飞机工业中，把损伤容限规定为在不危及飞机安全情况下，结构在制造和使用期间遇到的损伤或缺陷的容许界限。 复合材料是一种脆性、各向异性材料，对应力集中十分敏感。如在使用中遭受到偶然局部冲击载荷，加工与安装过程中被碰伤或划伤，生产制造中形成一定缺陷，以及连接处开孔或开槽等，均会在其内部造成损伤。对于最常出现的低速冲击，损伤大都发生在基体中，纤维很少受到损伤，因此拉伸强度降低不多。.但是即使从表面看没有多大损伤的低速冲击，在基体内造成的损伤也可能使压缩强度大幅度降低。冲击损伤容限是设计的限制因素，而压缩又是限制的载荷模式。 对于损伤容限的研究一般通过模拟客观条件，人为地造成不同程度的损伤，并测量剩余强度，以确定某种特定损伤的容许界限。既确保安全使用，又使材料发挥最大效率，而制造、维护的花费又最少。 复合材料损伤的主要形式是脱粘和分层。因此，提高其损伤容限的有效途径是改进纤维表面处理，提高纤维与基体界面粘结强度;采用韧性的热塑性基体或增韧的热固性基体;增加冲击韧性;采用三向编织物作增强体;在脆性纤维中合理加入韧性纤维，构成混杂复合材料等。(陶云宝)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条