1) variable low k dielectric layer
可变低k介质层
2) low k dielectric layer
低k介质埋层
3) low-k dielectric
低k介质
1.
The critical role of Cu/low-k dielectrics interconnections instead of conventional Al process played in the IC fabrication was demonstrated.
阐明了低k介质与铜互连集成工艺取代传统铝工艺在集成电路制造中所发挥的关键作用。
2.
The chemical-mechanical global planarization mechanism to the common low-k dielectric material is analyzed.
针对常见的低k介质材料分析了其化学机械全局平坦化的机理,并进一步探讨了低k介质化学机械抛光中包括压力、磨料、pH值和温度在内的几个因素对于抛光速率和表面状态等方面的影响。
3.
Current study and development of low-k dielectric constant materials are introduced.
介绍了低k介质材料的研究和发展状况,从制备方法和材料特性等不同角度对低k材料进行分类,并结合ULSI对低k材料的要求讨论了低k材料在ULSI中的应用前景。
4) low k dielectric
低k介电层
5) ultra low k dielectrics
超低k介质
6) Low-k Dielectric Layer
Low-K介质层
补充资料：重介质分层学说
重介质分层学说
doctrine of heavy medium stradification
zhongjiezhr fenceng Xueshuo重介质分层学说(doetrine of heavy mediumstratifieation)矿物垂向分层理论中一种静力学分层学说，由美国人伯德(B .M.Bild)于1947年提出。该学说认为重选中粒群分层是由细颗粒重矿物构成的悬浮体对粗颗粒轻矿物产生的重介质(见重介质选矿)浮力作用造成的。他以这种学说来解释跳汰法分选宽级别煤的过程。1964年中国张荣曾、姚书典等人分别以煤和石英、石英和磁铁矿、石英和黑钨矿、萤石和磁铁矿、萤石和黑钨矿等组成混合粒群，在上升水流中进行悬浮试验，并得出了同样的结论，即分层是由重矿物细颗粒悬浮体对轻矿物颗粒的浮力作用发生的。分层结果如图所示。正分层的数学表达式为占1<又2(aZ一户+刀，式中占1、a。为轻矿物和重矿物的密度;p为介质密度;几:为重矿物悬浮体的容积浓度。调节上升水的流速，使占1>久:(aZ一川+p，则将出现反分层。当占1一棍(占2一川+尸时，两种矿物将处于混杂状态，此时的上升水流速称为临界流速ucr。取重矿物的干涉沉降速度vh·。一u。·;将公式二hs。一u。:一v。:(1一入2)n“，也即几2一1一概代入等式。一几2(。2一*)、*中，整理后得临界流速ucr的计算式: 了占，一占。)”2 ‘U乙(占:一尸/币 按重介质作用原理分层结果式中v02为重矿物颗粒的自由沉降末速;n:为重矿物干涉沉降速度公式中的指数常数。上式的计算结果与实际值很接近。 (孙玉波)
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参考词条