1) P-top
P型表面注入层
2) surface implanted
表面注入
1.
Analytical model for the surface electrical field distribution of double RESURF device with surface implanted P-top region;
表面注入P-top区double RESURF功率器件表面电场模型
2.
A novel bulk-silicon surface implanted device with a p buried layer is proposed,and an analytical model for the surface electrical field distributions and breakdown voltage is developed.
提出一种带p埋层的表面注入硅基LDMOS高压器件新结构,称为BSI LDMOS(surface implanted LDMOS with pburied layer)。
3) Cu Sn P Film Surface
Cu-Sn-P镀层表面
4) surface layer model
表面层模型
5) Cavity surface layer
型腔表面层
6) surface inversion layer
表面反型层
补充资料：表面涂层离子交换膜
分子式：
CAS号：
性质：系特种性能离子交换膜。其结构为在阳膜或阴膜表面再涂上一层阳离子或阴离子交换膜，使膜表面结构发生变化，比如孔隙度更加致密，以达到改性目的。如在磺酸型离子交换膜表面再薄薄地涂上一层酚醛磺酸树脂膜，则该膜对一价阳离子呈现出较好的选择透过性，而对二价阳离子则差一些。主要用于海水、卤水中NaCl的浓缩制盐和盐卤水中离子的分离。
CAS号：
性质：系特种性能离子交换膜。其结构为在阳膜或阴膜表面再涂上一层阳离子或阴离子交换膜，使膜表面结构发生变化，比如孔隙度更加致密，以达到改性目的。如在磺酸型离子交换膜表面再薄薄地涂上一层酚醛磺酸树脂膜，则该膜对一价阳离子呈现出较好的选择透过性，而对二价阳离子则差一些。主要用于海水、卤水中NaCl的浓缩制盐和盐卤水中离子的分离。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条