1) amorphous YBCO thin films
非晶YBCO薄膜
1.
The current study situation of amorphous YBCO thin films is introduced in the paper.
介绍了非晶YBCO薄膜用作非制冷热释电红外探测器材料。
2) YBCO film
YBCO薄膜
1.
YBCO films have good performances in microelectronic devices etc.
YBCO薄膜应用于超导电子器件中表现出优良的性能,如超导量子干涉仪(SQUID)等。
2.
The YBCO films were directly deposited on the {110} < 011 > textured Ag substrates by an ultrasonic spray pyrolysis method using the modified device.
用自行研制的超声雾化装置在{110}<011>织构的Ag基带上直接沉积了YBCO涂层超导薄膜,结果发现一步沉积所得YBCO薄膜的表面有许多白色小颗粒,而且薄膜的织构和临界电流密度都较低,这是在900℃高温沉积过程中大量的Ag蒸发和扩散到YBCO膜层中所致。
3.
The critical current density of YBCO film is 7.
YSZ和YBCO薄膜都为C 轴取向和平面织构的 ,YSZ( 2 0 2 )和YBCO( 1 0 3 )的X射线 (扫描衍射峰的全宽半峰值分别为 2 0°和 1 2°。
3) YBCO thin film
YBCO薄膜
1.
Study on the superheating phenomenon of YBCO thin film;
关于YBCO薄膜过热现象的研究
2.
YBCO thin film has the advantages of high voltage drop tolerance per unit length and being hard to be destroyed after the complete quench as a current limitation element of a resistive type SFCL.
YBCO薄膜材料作为电阻型高温超导限流器的限流元件具有单位通流长度耐压高,失超后不易损毁等优点。
3.
In this work, YBCO thin films were deposited on LaAlO_3 (LAO) underlayers by PLD and Pt was sputtered as electrodes by rf-sputtering method.
本文利用脉冲准分子激光在LaAlO3单晶基片上淀积了YBCO和Zr/Ti为94/6的PZT铁电薄膜,并通过高频溅射将Pt蒸镀在PZT薄膜上作为上电极;用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,测量了PZT的铁电性能和介电特性,讨论了PZT/YBCO薄膜的制备工艺,以及工艺条件对晶相结构和薄膜性能的影响。
5) amorphous thin films
非晶薄膜
1.
60 O 3 (PZT) amorphous thin films were deposited on the fused silica substrates using a modified sol gel processing.
60 O3 (PZT)非晶薄膜 ,测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外可见近红外透射光谱 。
2.
52) amorphous thin films on vitreous silica substrates by RF magnetron sputtering were investigated by UV～VIS～NIR transmittance measurement in the wavelength range of 200～1100nm.
5 2 )非晶薄膜 ,并测量了 2 0 0～ 110 0nm的紫外 可见 近红外透射光谱 。
补充资料：稀土-铁族金属非晶薄膜磁光材料
分子式：
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
CAS号：
性质：用稀土和铁族金属制成的薄膜磁光材料其组成、电和磁性能及单轴各向异性受沉积条件及靶材成分影响。非晶态霍耳电压(VH)与磁场关系和极向克尔磁带回线相似，在补偿温度(Tcomp)附近，霍尔系数R1改变符号，当T<Tcomp时，R1为负，相反为正。其制备方法为高频溅射、真空蒸发、磁控溅射等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条