1) CMOS inverter
互补金属氧化物-半导体倒相器
2) CMOS inverter
互补金属-氧化物-半导体倒相器
3) complement
互补
1.
New method the vehicle license plate character segmentation based on concomitant and complementary color features;
基于伴生与互补颜色特征的车牌字符分割新方法
2.
New method of vehicle license plate location using concomitant and complementary color feature;
利用伴生与互补颜色特征的车牌定位新方法
3.
Bureaucracy and Present Public Management: Complement and Combination;
官僚制与新公共管理:互补与融合
4) complementarity
互补
1.
Approaches for objective function constructing with complementarity in parameters;
参数互补性目标函数构造方法研究
2.
Analysis of Principle of Complementarity Between Rule by Law and Rule by Moral in China;
德治与法治的互补原理剖析
3.
Rising through Cooperation: Complementarity and Cooperation between China and India on Economy and Trade;
合作中共同崛起——中、印在经贸领域的互补与合作
5) complementary
互补
1.
They are complementary, which is beneficial to the lasting peace and stability.
二者互补 ,有利于国家长治久安。
2.
This paper proposes a new aperiodic correlation signal,which is complementary binary array pairs(CBAP).
具有良好非循环相关特性的序列中,互补序列最具有代表性。
3.
Based on the I-V characteristics of single-electron transistor (SET) and the concepts of CMOS digital integrated circuit design, a full adder which consists of 28 complementary SETs is proposed.
基于单电子晶体管(SET)的IV特性和CMOS数字电路的设计思想,提出了一种由28个互补型SET构成的全加器电路结构。
6) Complementation
互补
1.
On complementation of pumped storage and wind power;
抽水蓄能与风电互补的探讨
2.
When the two plasmids were transferred separately into the nodD mutant, complementation was observed.
通过功能互补法从Frankia菌株At4的基因文库中筛选到可互补豌豆根瘤菌nodD基因功能的pAt2GX和pAt3GX,把pAt2GX和pAt3GX重新导入tmdD突变体中,接种豌豆苗,可观察到nodD突变体恢复了结瘤功能。
3.
The greater the status of the three laws varies,the more urgent their harmonization,interaction and complementation are.
越是定位的不同越意味着需要交融,越意味着需要互动、互补,越意味着在准确把握三法特性的基础上充分发挥其在综合调整社会关系,解决社会重大问题上的作用。
参考词条
补充资料：互补金属-氧化物-半导体集成电路
基本单元电路反相器由N沟道和P沟道 MOS场效应晶体管对管（见P沟道金属-氧化物-半导体集成电路和N沟道金属-氧化物-半导体集成电路）构成，以推挽形式工作,能实现一定逻辑功能的集成电路,简称CMOS。单元电路如图1。CMOS电路的特点是：①静态功耗低,每门功耗为纳瓦级；②逻辑摆幅大,近似等于电源电压;③抗干扰能力强,直流噪声容限达逻辑摆幅的35％左右;④可在较广泛的电源电压范围内工作,便于与其他电路接口；⑤速度快，门延迟时间达纳秒级；⑥在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好；⑦与NMOS电路相比，集成度稍低；⑧有"自锁效应"，影响电路正常工作。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
根据工艺的不同,CMOS电路可分为二类:①体硅CMOS电路已由初期的铝栅隔离环工艺发展成为硅栅等平面氧化物隔离工艺（见隔离技术）；②蓝宝石上外延硅CMOS电路，与体硅工艺相比，具有结电容和寄生电容小、功耗低、传输延迟小、封装密度高、抗辐射力强、无自锁效应和设计灵活等优点，但也有寄生边缘漏电和背沟道漏电、迁移率低、悬浮衬底引起的电荷存储效应等缺点。图2为上述两种CMOS电路结构示意图。
高性能CMOS电路（见高性能金属-氧化物-半导体集成电路）是CMOS电路和NMOS电路相结合的电路形式，在P型硅衬底上制作N阱的CMOS电路，可与NMOS电路在同一芯片上实现兼容，从而获得高集成度和低功耗。这为超大规模集成电路降低功耗提供了有效途径。
参考书目
史常忻：《CMOS集成电路》,江苏科学技术出版社,南京，1979。
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