1) NFDTD
非线性时域有限差分法
1.
Under the control of 860nm pump light,the switch behavior of 1550nm signal light has been simulated using nonlinear finite-difference time-domain method(NFDTD),and the corresponding simulation results have been given.
采用非线性时域有限差分法(NFDTD)模拟了波长为1 550 nm的信号光,在波长为860 nm泵浦光控制下的开关行为,并给出了相应的仿真结果。
2.
Using Non-linear Finite Difference Time Domain method (NFDTD), discrete expressions of 2D NFDTD algorithm with Kerr medium are derived.
利用非线性时域有限差分法(NFDTD)理论,导出了含Kerr介质的二维NFDTD算法的离散表达式,并对含Kerr介质点缺陷的二维光子晶体波导传输特性进行了分析,得到了相应的透射频谱和光场分布图。
2) two-dimensional nonlinear finite difference time domain (2D-NL-FDTD)
二维非线性时域有限差分法
1.
The optical characteristics and the intensity distribution in the near-field of the output region,that is, micro-aperture metallic film, of the VSAL have been numerically simulated by using two-dimensional nonlinear finite difference time domain (2D-NL-FDTD) method and the Fox-Li method with angle spectrum.
针对纳米孔径运用角谱进行Fox Li数值迭代 ,得到不同孔径微孔激光器的基模光强分布 ,然后运用二维非线性时域有限差分法分析微孔激光器出射端即微孔金属膜的近场光学性质 ,模拟计算了不同孔径和厚度的微孔金属膜的光强近场分布 ,从应用于近场光存储的角度 ,给出反映其近场光学特性的相关数据。
3) NS-FDTD
非标准时域有限差分法
4) finite-difference time-Domain
时域有限差分法
1.
This paper studies the EM Radiation and shield of monopole handset with the extrapolation which is suitable for the Finite-Difference Time-Domain(FDTD).
用时域有限差分法(FDTD)的一种外推法研究了单极天线手机近场辐射及屏蔽。
2.
In this paper,the in- fluence of the coupling aperture on the sound energy decay and coupling constant in the primary room is investigated by means of the finite-difference time-domain method,and the investigation is limited within the low-frequency range.
文中运用时域有限差分法,在低频范围内模拟了耦合窗面积的改变对主厅中不同位置的耦合常数和声能衰减的影响。
3.
The compact finite-difference time-domain(CFDTD) method was employed to simulate the dispersion properties in an electromagnetic band gap(EBG) waveguide which was uniform in the propagation direction.
建立了紧凑格式二维时域有限差分法(CFDTD)模型,利用二维网格划分计算三维传播问题,简化了计算量。
5) FDTD method
时域有限差分法
1.
A fast equivalence algorithm of RCS based on FDTD method;
计算二维雷达散射截面的一种快速等效算法——时域有限差分法
2.
The Application Study of FDTD Method to Simulate of Electromagnetic Field Around EHV Transmission Line;
时域有限差分法在超高压输电线电磁场仿真中的应用研究
3.
By employing FDTD method and simulating the effects of electromagnetic on the heart of human body, the eddy-currents of the heart of human body induced by MRI time-varying gradient fields are computed and compared with the recommended threshold.
运用时域有限差分法(FDTD),通过电磁场对人体心脏影响的模型仿真,计算出心脏体段由磁共振成像(MRI)时变梯度场感应的涡流,并与已有的心脏刺激阈值进行比较。
6) finite-difference time-domain method
时域有限差分法
1.
This expressions have been applied to calculate the radiation boundary conditions (RBC) of the conner points in the finite-difference time-domain method.
该文导出了两维四节点和三维八节点Ｌａｓｒａｎｇｅ线性内插函数、适用于编程和计算的实用表示式，并给出其在时域有限差分法（ＦＤ－ＴＤ）计算角点辐射边界条件（ＲＢＣ）中的推广应用。
2.
The phenomenon of spectral splitting in multiple quantum well(MQW)structures composed of one-dimensional photonic crystals is investigated by finite-difference time-domain method.
用时域有限差分法研究了一维光子晶体多量子阱中的谱线分裂现象,揭示了光子隧穿多量子阱时谱线分裂的规律性。
3.
The optical properties of two port wavelength division device have been demonstrated theoretically by finite-difference time-domain method and plane wave method, in addition we study the transmission rate in the output port of this device under a given coupling length, the result indicate that choosing the appropriate coupling length can make light to expo.
采用时域有限差分法和平面波法作为研究工具,从理论上分析了这种器件的特性,在一定耦合长度下研究光在输出端的透射率,结果表明,选择适当的耦合长度可以使光在两个端口高效率输出。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条