1) heterojunction CMOS FET
异质结互补金属氧化物半导体场效应晶体管
2) MOSFET
['mɔsfet]
金属-氧化物-半导体场效应晶体管
1.
An efficient,self-consistent method of Monte Carlo and Poisson equation is used to simulate the electrical characteristic of deep submicron metal-oxide-semiconductor field effect Transistor(MOSFET).
用蒙特卡罗-泊松方程自洽求解的方法,对深亚微米金属-氧化物-半导体场效应晶体管——MOSFET的电特性进行了模拟。
3) loss/metal oxide semiconductor field effect transistor
损耗/金属氧化物半导体场效应晶体管
4) control/MOSFET
控制/金属-氧化物-半导体-场效应晶体管
5) MOSFET
['mɔsfet]
金属氧化物半导体场效应晶体管
1.
A novel SiC Schottky Barrier Source/Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor (SiC SBSD-MOSFET) is proposed in this dissertation.
本文提出了一种新型SiC金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)结构——SiC肖特基势垒源漏MOSFET。
6) experiment/MOSFET
实验/金属-氧化物-半导体场效应晶体管
补充资料：结型场效应晶体管（junctionfieldeffecttransistor(JFET)）
结型场效应晶体管（junctionfieldeffecttransistor(JFET)）
结型场效应晶体管（JFET）是通过外加栅极电压来改变栅极空间电荷区的宽度，从而控制沟道导电能力的一种场效应器件。源极和漏极之间的导电沟道是导电率相当低的半导体材料。栅极与下面的导电半导体之间存在整流结。JFET的栅极一般都加反向偏压，且栅结的耗尽层主要向沟道区扩展。改变栅结电压可以控制栅结耗尽区宽度，以改变导电沟道宽度，从而控制输出漏电流，在某一高反偏压下，沟道最终可被夹断。这类晶体管平常处于导通状态，在高反偏压下又可夹断。JFET已广泛使用于小信号放大器、电流限制器、电压控制电阻器、开关电路和集成电路中。如果栅结为肖特基势垒结，这就制成肖特基势垒场效应管（MESFET）。这种场效应管的跨导高、工作频率高，是微波领域里的热门器件。由于GaAs中电子迁移率比硅中大5倍，峰值漂移速度大1倍，所以GaAsMESFET发展迅速。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条