1) UHV/CVD
UHV/CVD
1.
Growth of near planar Si_(0.5)Ge_(0.5) epitaxial layers directly on Si substrate by UHV/CVD at 500℃;
500℃下利用UHV/CVD在Si衬底上直接生长近平面Si_(0.5)Ge_(0.5)层(英文)
2.
Effect of H_2 on Low Temperature Selective Growth of Si_(1-x)Ge_x by UHV/CVD;
H_2对UHV/CVD低温选择性外延生长Si_(1-x)Ge_x的影响
3.
UHV/CVD n~--Type Silicon Epitaxy Used for SiGe HBT Device;
用于SiGeHBT器件的UHV/CVDn~-型硅外延研究
2) UHV-CVD
UHV-CVD
1.
Application of a SiGe Multi-Quantum Well Grown by UHV-CVD for Thermophotovoltaic Cells;
UHV-CVD生长的SiGe多量子阱在热光电池领域的应用
3) UH
UH
1.
STRUCTURE AND POTENTIAL ENERGY FUNCTION INVESTIGATION ON UH AND UH_2 MOLECULES;
UH和UH_2分子的结构与势能函数
补充资料：UHV
分子式：
CAS号：
性质：压力低于10-6Pa的气态空间。在超高真空条件下可以获得免于污染的清洁固体表面。现在多用无油超高真空系统产生。该系统主要由预抽泵、主体泵和金属阀门组成。常用的预抽泵有分子筛吸附泵或机械泵加分子筛吸附阱。主体泵有钛泵、钛升华泵、弹道式钛泵等，真空度可达10-9Pa。
CAS号：
性质：压力低于10-6Pa的气态空间。在超高真空条件下可以获得免于污染的清洁固体表面。现在多用无油超高真空系统产生。该系统主要由预抽泵、主体泵和金属阀门组成。常用的预抽泵有分子筛吸附泵或机械泵加分子筛吸附阱。主体泵有钛泵、钛升华泵、弹道式钛泵等，真空度可达10-9Pa。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。