1) In_xGa_(1-x)N/GaN
In_xGa_（1-x）N/GaN
2) GaN/In_xGa_(1-x)N/GaN
GaN/In_xGa_（1-x）N/GaN
3) InxGa1-xN/GaN quantum dots
In_xGa_（1-x）N/GaN量子点
4) Al_xGa_ 1-x N/GaN DQWs
Al_xGa_（1-x）N/GaN双量子阱
5) Al_xGa_(1-x)N/GaN heterostructure
Al_xGa_（1-x）N/GaN异质结构
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。