1) laser-assisted wet etching
激光辅助液相腐蚀
2) laser assisted etching
激光辅助腐蚀
3) photoassisted wet etching
光辅助湿法腐蚀
1.
Compared with the etching of hexagonal GaN (h-GaN) grown on Al_2O_3(0001),it is found that the photoassisted wet etching behavior of c-GaN grown on GaAs is different from that of h-GaN on sapphire.
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (h- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性进行了比较 。
4) laser assisted wet etching(LAWE)
激光诱导液相腐蚀
5) Aqueous etching
液相腐蚀
6) Laser assisted chemical etching
激光辅助化学刻蚀
1.
The laser assisted chemical etching was proposed to apply in the etching of YBCO high temperature superconductor(HTS)film,which was a significant application involving superconductor electronics,laser technique and chemistry.
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,为YBCO激光化学刻蚀技术中图形形状控制、刻蚀时间选择和激光功率调节等提供了重要的实验结论。
2.
The laser assisted chemical etching was proposed to apply in the etching of YBCO high temperature superconductor film.
提出了将激光辅助化学刻蚀技术应用于钇钡铜氧(YBCO)高温超导薄膜的刻蚀,研究了无掩膜YBCO薄膜激光化学刻蚀的表面特性及其变化规律,在激光辐照下,YBCO薄膜的液相刻蚀速率大大加快,并且在整个过程中,刻蚀速率呈现加快趋势,这一特性将有可能用于改善YBCO刻蚀中的横向钻蚀情况,并提高图形边缘的侧壁陡峭度。
补充资料：基质辅助激光解吸时间飞行质谱
分子式：
CAS号：
性质：从原理上讲，它属于激光解吸质谱(LDMS)，它与普通LDMS的不同在于，激光不是直接打在试样上使之解吸，而是把试样悬浮在基质中，激光打在基质上，基质吸收并传递激光能量，使基质中的试样解吸出来，试样解吸并电离后进入时间飞行质谱仪中检测。MALDI-TOFMS由于使用了基质辅助，它对激光能量的限制就比较宽了，对不同的试样，改变基质，可以获得更满意的结果。目前MALDI-TOF MS是用来进行药物、生物分子的测定的较好手段。
CAS号：
性质：从原理上讲，它属于激光解吸质谱(LDMS)，它与普通LDMS的不同在于，激光不是直接打在试样上使之解吸，而是把试样悬浮在基质中，激光打在基质上，基质吸收并传递激光能量，使基质中的试样解吸出来，试样解吸并电离后进入时间飞行质谱仪中检测。MALDI-TOFMS由于使用了基质辅助，它对激光能量的限制就比较宽了，对不同的试样，改变基质，可以获得更满意的结果。目前MALDI-TOF MS是用来进行药物、生物分子的测定的较好手段。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条