1) high DC gain
高直流增益
2) DC gain
直流增益
1.
In this paper,it is described that the uncertainty of evaluation results of DC gain and offset of linear measurement system by using the terminal-based straight line method,including the courses of analysis and evaluation of uncertainty.
介绍了用端基直线法评价线性测量系统直流增益和直流偏移指标时,测量结果的不确定度,包含了测量结果的不确定度分析和评价过程。
2.
The uncertainty of evaluation results of DC gain and offset of linear measurement system by using the least mean square method, including the courses of analysis and evaluation of uncertainty of them, is described.
介绍了用最小二乘法评价线性测量系统直流增益和直流偏移指标时测量结果的不确定度分析和评价过程。
3.
In this paper,a study has been done on the low temperature Charateristics of the DC gains of low frequency large power silicon transitors.
就晶体管的直流增益 h F E在 - 5 5℃低温条件下的变化及如何提高参数性能做了专题研
3) DC gain β
直流增益β
1.
The results showed that the SiGe HBTs on the SOI substrate with DC gain β higher than 300 were obtained,but devices on the SOI substrate shown higher self-heating effect than devices on n+ substrate.
性能测试表明,在SOI衬底上获得了直流增益β大于300的SiGeHBT,但SOI衬底上的SiGeHBT表现出较严重的自热效应。
4) DC current gain
直流电流增益
1.
The DC current gain of the transistor with the emitter long edge parallel to orientation is greater than that of parallel to .
在对 In Ga P/ Ga As HBT特性的研究中发现 ,发射极长边与主对准边垂直 ([0 1 1 ]方向 )和平行 ([0 1 1 ]方向 )放置时 ,其直流电流增益和截止频率是不同的 。
5) nonlinear DC gain
非线性直流增益
1.
The operational amplifier nonlinear DC gain is modeled with emphasis and simulation results show it introduces odd harmonic distortion.
重点实现一种运放非线性直流增益模型,仿真表明它更有效反映奇次谐波失真,为保证模型真实性,综合考虑调制器其他非理想因素,如时钟抖动、量化器失配、采样噪声、开关非线性电阻以及运放参数(色化噪声、饱和电压、增益带宽、摆率等)。
6) loop DC overall gain
环路直流总增益
补充资料：高电压直流发生器
高电压直流发生器
high voltage DC generator
goodlonyo Zh一}一u foshengql高电压直流发生器(high voltageDC罗n-erator)产生直流高电压的试验装里。主要用于研究直流精电及换流站设备和绝缘材料在直流高电压下的绝缘强度、直流愉电线路电晕和离子流及其效应以及进行交、直流电力设备的泄漏电流试验。一些电容量较大的交流设备，如电力电缆、电容器等也常用高电压直流发生器进行绝缘试验，以减小对试验设备容t的要求。虽然用直流电源代替交流电源比较方便和经济，但因在绝缘中的电场分布不同，使试验结果的有效性受到了影响。高电压直流发生器还可以作为其他高压试验设备如冲击电压发生器、冲击电流发生器、振荡回路等的电源。在其他科技领域里，如物理学(加速器、电子显微镜等)、电子医疗设备(X射线)、工业应用(废气沉淀、静电喷漆等)、或电子通信(电视、广播站)等方面也被广泛应用。(参见彩图插页第38页124图) 在高电压实脸室中通常用交流高电压整流的办法产生直流高电压。整流电路主要有简单整流电路和申级整流电路.其基本要求是:①其输出电压的纹波系数应不大于3%;②一旦被试品发生闪络，电源应能够维持电弧使它不熄灭。 高电压直流发生器的特性，用额定直流电流(平均值)I。、相应的输出电压(平均值)U。和电压纹波系数S表示。S二(口m.:一U二。)/(ZU。)，式中Um.、和Um、n分别是输出电压的最大值和最小值。 简单整流电路高电压实验室中应用最广泛的荃本整流电路如图所示。空载时，半波整流电路的输出电压等于变压器输出交流电压的最大值U，;两种倍压整流电路的翰出电压都等于2倍交流电压最大值，即ZUm。负载时，输出电压降低，并发生脉动。 串级高压直流发生器将图中(b)或(c)所示的倍压整流电路。级申联起来.空载时输出电压可达2心。，而以图(b)为荃础的申级高压直流发生器应用更为广泛.负载时，串级高压直流发生器的电压降落和电压脉动都随级数的增加而急剧增加，并与电容器的电容t及电稼孩率成反比，因此，为了减小电压降落和纹波系数偏要采取最小的回路级数，尽可能加大电容称的电容t，并提高电像的颇率(如用50OH:代替50价)，在各国的高压实验室中高压直流发生器的最高电压可达1.5~2 MW。 高压硅堆高压整流电路中将交流变换成直流的C千日左、丁.Tz几种常见的筒单整流电路图 (a)半浪鉴流.(b)倍压盆流 (一).(e)倍压整流(二)Tl一调压界，TZ一试脸变压界，V一硅堆，C一浦波电容界，R一保 护电皿，Rx一负俄电阻关键元件。
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参考词条