1) chaotic circuits design
混沌电路设计
2) chaotic circuit
混沌电路
1.
Feedback control the nonlinear capacitor double scroll chaotic circuit;
反馈控制非线性电容双涡卷混沌电路
2.
Experimentation research of low exponent chaotic circuits nonlinear dynamic features;
低阶混沌电路非线性动力学特性的实验研究
3.
Mathematical model and simulation of low exponent chaotic circuitsnonlinear dynamic features;
低阶混沌电路非线性动力学特性的数学模型与仿真
3) chaos circuit
混沌电路
1.
The analysis and experiment of a typical chaos circuit;
一个典型混沌电路的实验与分析
2.
This paper proposes a radar fuze system based on chaos circuit.
提出了一种基于混沌电路的随机脉位调制 (RPPM)和随机二相码调相 (RBCPM)混合调制的雷达引信系统。
5) hyperchaotic circuit
超混沌电路
1.
A novel fifth-order hyperchaotic circuit and its research;
一个新的五阶超混沌电路及其研究
2.
Tracking control and projective synchronization in the fifth-order hyperchaotic circuit system based on accelerated factor
一类五阶超混沌电路系统的加速追踪控制与投影同步
6) multiscroll chaotic circuit
多涡卷混沌电路
1.
The experiment study of multiscroll chaotic circuit based on a stimulated inductor circuit;
基于模拟电感的多涡卷混沌电路实验研究
补充资料:集成电路版图设计规则
集成电路版图设计规则的作用是保证电路性能,易于在工艺中实现,并能取得较高的成品率。版图设计规则通常包括两个主要方面:①规定图形和图形间距的最小容许尺寸;②规定各分版间的最大允许套刻偏差。
集成电路制作中,各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4~10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合,整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计,是把电路的元件、器件和互连线图形化,用它来控制制备工艺,使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如,增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是:
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同,具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平(如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制);②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量,是集成电路工艺技术水平的一种标志。
集成电路制作中,各类集成元件、器件及其间的隔离与互连等是在一套掩模版的控制下形成的。一套掩模版通常包括 4~10块分版。每一块分版是一组专门设计的图形的集合,整套版中的各分版相互都要能精密地配合和对准。整套掩模版图形(简称版图)的设计,是把电路的元件、器件和互连线图形化,用它来控制制备工艺,使集成电路获得预期的性能、功能和效果。例如,增强型负载硅栅N沟道MOS型集成电路需要4块分版,分别用以确定有源区、多晶硅、接触孔和铝连线。4组图形的规则是:
有源区条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅条宽与间距
8μm/6μm
接触孔尺寸
6μm×6μm
铝连线条宽与间距
6μm/6μm
多晶硅-有源区套刻量(ɑ)
2μm
多晶硅出头长度(b)
4μm
接触孔-有源区套刻量(c)
2μm
接触孔-有源区上多晶硅套刻量(d) 4μm
接触孔-隔离区上多晶硅套刻量(e) 2μm
铝连线-接触孔套刻量(f)
2μm
不同类型的集成电路所需要的分版数不同,具体的版图设计规则也有差异。但制定版图设计规则的基本原则则是一致的:①需要考虑工艺设备状况(如光刻机的分辨率和对准精度)和工艺技术水平(如工艺加工中,图形尺寸侧向变化量和控制);②避免寄生效应对集成电路的功能与电学性能的有害影响。
通常称允许的最小图形尺寸的平均值为特征尺寸。它是对集成电路集成密度的度量,是集成电路工艺技术水平的一种标志。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条