1) multiple storage
多存储
1.
Design and implementation of JMS based on multiple storages;
基于多存储类型的JMS设计与实现
2) Multi-layer Store
多层储存
3) Multiple storage
多重存储
1.
A new synthesized push pull azobenzene compound was doped in PMMA film, its multiple storage characterization was studied, and the photograph recording of triple storage as well as observation of photoelectric storage time situation were performed; the competition recording among multiple storage was studied.
将新合成的推拉型偶氮化合物掺入ＰＭＭＡ中制成薄膜器件，研究了该器件的多重存储特性，实现了三重存储摄影记录及三重存储光电时间状态观测，研究了多重存储的竞争现象。
4) multilayered memory
多层存储
1.
The result shows that these two systems are feasible and they provide very important reference value for the further study and practicality of the technology of waveguide multilayered memory.
信息读出光学系统是波导多层存储方法的重要组成部分,从几何光学角度,提出了两种信息读出光学系统的理论设计,并对两种系统的特点进行了实验研究,结果表明两种光学系统都是可行的,而且对波导多层光存储的进一步研究及实用化都有一定的参考价值。
5) multi-level storage
多阶存储
1.
Analysis of the optical channel of a photochromic multi-level storage system is the basis of the design of signal-processing sub-systems.
光致变色多阶存储系统的光学通道分析是分析和设计后续信号处理部分的前提。
2.
Thus the multi-level storage was realized.
光致变色材料具有光子型反应的特点,控制光致变色材料吸收的光子数就可以控制材料的反应程度,从而实现多阶存储。
6) multilevel storage
多值存储
1.
Two approaches are proposed for multilevel storage based on phase change technology.
提出两种实现相变存储器多值存储的方法。
2.
A novel ratio-oriented definition based on 2T2R (two transistors & two phase change resistors(PCR)) phase change memory(PCM) cell structure is proposed to gain a high density by multilevel storage.
基于相变存储器(PCM)已有的2T2R结构,提出一种以比值为导向的状态定义方法,以实现2T2R结构下PCM的多值存储。
补充资料：记忆多存储模型
记忆多存储模型
multi-store model of memory
记忆多存储模型(multi一store model ofm emory)20世纪60年代由阿特金森和谢弗林提出的记忆模型。该模型把记忆区分为三种存储系统，即感觉记忆，短时记忆和长时记忆。这三种存储在信息的保持时间、编码方式、记忆容量等方面都有所不同。感觉记忆是保持时间不足2秒的记忆，它保持的是刺激的物理映象，是无意识的。短时记忆是保持时间不超过1分钟的记忆，是一种工作记忆，它对从感觉存储和长时记忆中来的信息进行有意识的处理，主要以听觉形式编码存储信息，其容量不超过7土2个组块。长时记忆指保持时间在1分钟以上的记忆。它的记忆容量是相对无限的，有语义、意象等多种编码方式。一般清况下，感觉记忆中的信息一旦受到注意，就会转入短时记忆。短时记忆中的信息经过复述，则会转入长时记忆。记忆的多存储模型可以用下列流程图来表示。 记忆多存储模型流程图 被复述呼彝爵罗 阵立海撰粤转龄审)
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参考词条