1) ED-NALM
非线性掺铒光纤放大环镜
2) Erbium-doped nonlinear amplifying fiber loop mirror
掺铒光纤放大环镜
3) Erbium-doped amplifying fiber loop mirror
掺铒光纤环镜
1.
Numerical simulations show that,Optical pulse in Erbium-doped amplifying fiber loop mirror can be amplificated effectivelly,and Optical pulse in dispersion decreasing fiber loop mirror can be compressed effectivelly
采用分布傅里叶数值计算方法研究了基于非线性光纤环镜的光脉冲传输,对于掺铒光纤环镜和色散渐减光纤环镜中光脉冲功率放大及脉冲压缩进行了数值计算和分析。
4) EDFA
掺铒光纤放大器
1.
Design of EDFA gain flattening filter using cascaded M-Z interferometer;
级联M-Z型掺铒光纤放大器增益平坦滤波器的设计
2.
Study on noise figure and gain of EDFA;
掺铒光纤放大器增益和噪声研究
3.
A Wideband Amplifier Combining FRA with EDFA;
拉曼光纤放大器(FRA)和掺铒光纤放大器(EDFA)相结合构造宽带放大器
5) Erbium-doped fiber amplifier
掺铒光纤放大器
1.
Gain and noise figure improvement of the reflection L-band erbium-doped fiber amplifier;
反射式L波段掺铒光纤放大器增益与噪声指数改善
2.
A novel Erbium-doped fiber amplifier(EDFA) pumped by 980 nm LD that improves the L-band amplification performances is demonstrated.
报道了一种新型980 nm激光二极管(LD)泵浦高增益的掺铒光纤放大器(EDFA)。
3.
In the power telecom networks, the distance between two nodes is always too long to use the normal optical transceiver, so we have to use Erbium-Doped Fiber Amplifier (EDFA) additionally.
在电力专网光纤通信电路建设中,由于光纤节点间距离较长,超过一般光端机收发信电平的容许门限,因此需要另外使用掺铒光纤放大器(EDFA)设备。
6) erbium-doped fiber amplifiers
掺铒光纤放大器
1.
Numerical simulations show that, unlike conventional erbium-doped fiber amplifiers in which nonlinear effects lead to serious distortion of amplified pulses, the proposed device performs not only distortion-free amplification but also efficient compression of ultrashort solitons.
用常规掺铒光纤放大器放大超短光孤子存在一个重大困难 ,就是在放大过程中光纤非线性效应会引起孤子波形及频谱畸变 ,使得输出脉冲不再具有孤子特性 ,从而影响系统性能。
2.
For comparison, we also simulated the performance of soliton system using erbium-doped fiber amplifiers (EDFAs) as in-line amplifiers.
通过计算机系统仿真研究了应用相敏光放大器(PSA)作为在线放大器的光孤子传输系统,并与相应的掺铒光纤放大器(EDFA)光孤子系统作了比较。
3.
The basic principle and characters of the erbium-doped fiber amplifiers are introduced, and their applications and recent advances in the wavelength division multiplexing and optical soliton transmission systems are summarized.
介绍了掺铒光纤放大器的工作原理及特点,重点综述了该放大器在光波分复用系统和光孤子通信系统中的应用和发展动态,并报导了我们最近的研究结果。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条