1) single slit diffraction of electron
电子单缝衍射
1.
We studie the methods and the key techniques of the simulation of single slit diffraction of electron(SSDE) with VB.
介绍了应用VB语言模拟电子单缝衍射实验的方法和关键技术,在模拟过程中巧妙利用程序设计技巧,解决了现有的电子衍射仪演示的局限性,取得了很好的模拟演示效果。
2) single-slit diffraction factor
单缝衍射因子
1.
We have drawn the intensity distribution curve by Matlab,and analyzed the impact of the multi-slit diffraction missing order phenomenon,which relates to the single-slit diffraction factor and the interference factor among slits.
本文讨论了多缝夫琅禾费衍射的光强分布特点,编写Matlab程序绘制光强分布曲线,分析了多缝夫琅禾费衍射缺级现象的影响因素,与单缝衍射因子和缝间干涉因子有关。
3) single slit diffraction
单缝衍射
1.
A single slit diffraction approach for measuring metal linear expansion coefficient;
利用单缝衍射测金属材料的线膨胀系数
2.
Measuring the expansion coefficient of metal using single slit diffraction;
单缝衍射测量金属膨胀系数
3.
Extended experiment on single slit diffraction instrument;
用激光单缝衍射实验仪做扩展实验
4) Single-slit diffraction
单缝衍射
1.
Experimental research and numerical simulation on microwave single-slit diffraction;
微波单缝衍射的实验研究及数值模拟
2.
Research of the auto-measurement system for the single-slit diffraction;
单缝衍射自动测量系统的研究
3.
By applying advanced technology, we improve the traditional single-slit diffraction experiment.
使用单片机等先进技术对传统的单缝衍射实验仪进行了改进 。
5) diffraction by narrow opening
单缝衍射
1.
In the experiment on diffraction by narrow opening.
在单缝衍射实验中 ,CCD器件是光学测量器的核心 ,通过 CCD光电传感器 ,可在数显示波器中显示光强分布曲线的全貌 ,并精确地测量单丝直
2.
The intensity distribution of the diffraction by narrow opening directly measured with CCD,a complete picture of luminous intensity distribution curve can be displayed by a numeric display oscilloscope.
应用CCD可直接测量单缝衍射的光强分布,并可在数显示波器中直接显示光强分布曲线的全貌,从而精确测量单缝宽度。
6) two-slit diffraction of electron
电子双缝衍射
1.
Based on the probability density functions of electron diffraction and Monte Carlo method,this paper demonstrates the dynamic and stochastic process of the two-slit diffraction of electron by means of programming and data visualization of Matlab.
依据电子衍射的几率密度函数,运用蒙特卡罗随机模拟方法,借助Matlab软件的编程及数据可视化功能,实现电子双缝衍射动态随机过程的演示。
2.
For the reason that some laboratories do not have the experimental facilities of two-slit diffraction of electron, the experimental scheme with computer simulation is provided.
本文提出一套基于双缝衍射的、用于研究微观粒子波粒二象性的电子衍射实验方案,并且鉴于在一般的实验中不具备进行电子双缝衍射实验的条件,本实验方案是在电子双缝衍射计算机模拟的仿真环境下进行的。
补充资料：低能电子衍射
低能电子衍射(LEED)，是将能量为5～500eV范围的单色电子入射于样品表面,通过电子与晶体相互作用,一部分电子以相干散射的形式反射到真空中，所形成的衍射束进入可移动的接收器进行强度测量，或者再被加速至荧光屏，给出可观察的衍射图像,见图1。图中，第一栅接地，使衍射电子自由飞过样品和栅之间的空间；第二栅加几十伏负电压，可滤去非弹性散射电子。荧光屏施加千伏高压，使电子有足够的能量激发荧光物质。由于物质对电子的散射比对 X射线的散射强很多，使低能电子具有很高的表面灵敏度。虽然在1927年C.J.戴维孙和L.H.革末发现了LEED，但因多重散射带来了技术上和理论上的复杂性，使低能衍射的实际应用推迟了40年。直到70年代以后，在超高真空技术发展的基础上，才使此技术获得新生。
低能电子衍射图样给出晶体表面倒易空间的晶网像，或者说直接给出晶体倒易点阵的一个二维截面（见表面结构），它可以在一个二维模型基础上运用衍射的运动学理论加以解释（见衍射动力学理论）。一个无限大的二维晶体，其倒易点阵是垂直于二维晶面的倒易棒所形成之阵列,如图2所示。平行于此晶面的入射波矢k〃与散射波矢(ki)〃之差等于此晶面的二维倒易点阵矢量Gi，即有(ki)〃－k〃＝Gi时,
满足衍射加强条件。故于图2中以入射波矢k 为半径作一球（称为厄瓦耳球），球与倒易棒的交点，即给出衍射束的波矢ki。在相应的正空间中，衍射加强条件就是布喇格公式a sin φ＝hλ，b sin φ┡＝kλ，
式中a、b为二维平移矢量的长度。从衍射图可以确定表面平移矢量As、Bs,研究各种类型的表面有序结构,给出相应的空间群（见表面结构）。
衍射强度分析是利用LEED确定表面单胞内原子位置的核心问题。由于慢电子的动能与晶体中散射势相近,通常处理高能电子衍射的运动学理论或修正的运动学理论不能用于低能电子衍射。理论计算与实验数据的比较表明，分析低能电子在晶体中的行为，必须考虑晶体中原子、电子及声子与它的相互作用，以及低能电子在晶体中所受的多重散射。将所有这些相互作用表示成为一个有效势V(r)，低能电子的哈密顿量即写为
H＝Ho＋V(r)，
Ho为入射电子动能。这就将多体问题归结为求解单电子薛定谔方程：
Hψ＝Eψ 。
待求的衍射强度等于本征波函数的模的二次方|ψ|2。现代低能电子衍射理论分析很多就是从多重散射格林函数方法出发，对具体散射过程作各种模型假设，发展了若干行之有效的方法，如KKR法、贝基T－矩阵法、重正化向前散射法、双层法、链方法及其他微扰法。低能衍射技术已推广到研究表面缺陷、二维相变，其理论分析方法也为其他的表面分析技术所借鉴。
低能电子衍射仪常与多种表面分析仪联用，综合地分析各种金属、半导体的清洁表面与吸附表面的元素组成和表面原子结构。
参考书目
C.J. Davisson and L.H. Germer, Physical Review,Vol. 30,p.705,1927.
J. B. Pendry, Low Energy Electron Diffractionand Its Application to Determination of Surface Structure, Academic Press, London, 1974.
低能电子衍射图样给出晶体表面倒易空间的晶网像，或者说直接给出晶体倒易点阵的一个二维截面（见表面结构），它可以在一个二维模型基础上运用衍射的运动学理论加以解释（见衍射动力学理论）。一个无限大的二维晶体，其倒易点阵是垂直于二维晶面的倒易棒所形成之阵列,如图2所示。平行于此晶面的入射波矢k〃与散射波矢(ki)〃之差等于此晶面的二维倒易点阵矢量Gi，即有(ki)〃－k〃＝Gi时,
满足衍射加强条件。故于图2中以入射波矢k 为半径作一球（称为厄瓦耳球），球与倒易棒的交点，即给出衍射束的波矢ki。在相应的正空间中，衍射加强条件就是布喇格公式a sin φ＝hλ，b sin φ┡＝kλ，
式中a、b为二维平移矢量的长度。从衍射图可以确定表面平移矢量As、Bs,研究各种类型的表面有序结构,给出相应的空间群（见表面结构）。
衍射强度分析是利用LEED确定表面单胞内原子位置的核心问题。由于慢电子的动能与晶体中散射势相近,通常处理高能电子衍射的运动学理论或修正的运动学理论不能用于低能电子衍射。理论计算与实验数据的比较表明，分析低能电子在晶体中的行为，必须考虑晶体中原子、电子及声子与它的相互作用，以及低能电子在晶体中所受的多重散射。将所有这些相互作用表示成为一个有效势V(r)，低能电子的哈密顿量即写为
H＝Ho＋V(r)，
Ho为入射电子动能。这就将多体问题归结为求解单电子薛定谔方程：
Hψ＝Eψ 。
待求的衍射强度等于本征波函数的模的二次方|ψ|2。现代低能电子衍射理论分析很多就是从多重散射格林函数方法出发，对具体散射过程作各种模型假设，发展了若干行之有效的方法，如KKR法、贝基T－矩阵法、重正化向前散射法、双层法、链方法及其他微扰法。低能衍射技术已推广到研究表面缺陷、二维相变，其理论分析方法也为其他的表面分析技术所借鉴。
低能电子衍射仪常与多种表面分析仪联用，综合地分析各种金属、半导体的清洁表面与吸附表面的元素组成和表面原子结构。
参考书目
C.J. Davisson and L.H. Germer, Physical Review,Vol. 30,p.705,1927.
J. B. Pendry, Low Energy Electron Diffractionand Its Application to Determination of Surface Structure, Academic Press, London, 1974.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条