1) double-mesa technology
双台面工艺
1.
A large area multi-finger configuration power SiGe HBT device(with an emitter area of about 880μm2)was fabricated with 2μm double-mesa technology.
采用简单的双台面工艺制作了完全平面结构的5个单元、10个发射极指大面积的SiGe HBT。
2) mesa process
台面工艺
3) two person on both sides welding
双人双面焊工艺
4) mesa epitaxial approach
台面外延工艺
5) Twin-side compound process
双面复合工艺
6) stage art and crafts
舞台工艺
补充资料：采气工艺(见天然气开采工艺)
采气工艺(见天然气开采工艺)
gas production technology
，一‘J\匕乙吕天然气开采工艺pro以uetionteehnology)见
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参考词条