1) buried-channel
隐埋沟道
1.
The I-V characteristics for SiC buried-channel MOSFETs based on an average mobility model is presented.
提出了一种SiC隐埋沟道MOSFET平均迁移率模型,并在此基础上对器件I-V特性进行了研究。
2.
The effects of several factors on mobility in 4H-SiC buried-channel (BC) MOSFETs are studied.
研究了几种因素对4H-SiC隐埋沟道MOSFET沟道迁移率的影响。
2) buried-channel MOSFET
隐埋沟道MOSFET
1.
Extraction of channel carrier concentration using C-V method for SiC buried-channel MOSFET;
C-V法提取SiC隐埋沟道MOSFET沟道载流子浓度
4) ditch conduit
沟埋式管道
1.
Based on the theory of elastic-plastic deformation, according to the finite element method, this paper presents a nonlinear analysis of the distribution of the soil pressure of the ditch conduit.
表明对大型沟埋式管道的上压力,采用弹塑性理论的非线性分析是比较符合实际的,其结果可供设计参考。
6) buried trench
沟埋
1.
It compared the advantages and disadvantages of the technologies between buried trenches,directional drilling,tunneling,etc.
综述了油气管道河流穿越技术的发展历程和各种穿越施工方法,比较了沟埋、定向钻、隧道等穿越技术的优缺点,并列举了部分工程实例;分析了各种施工方法适用的范围和条件,并提出施工中应注意的问题,对实际设计和施工具有一定的借鉴意义。
补充资料:隐名埋姓
1.同"隐姓埋名"。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条