1) electron areal density
电子面密度
1.
The ground state binding energies are calculated as functions of the quantum dot radius and the electron areal density.
在有效质量近似下采用变分法以及界面处导带弯曲用三角势近似,研究了氮化物半导体GaN/Ga1-xAlxN材料中杂质态的结合能随量子点尺寸及电子面密度的变化关系。
2.
The relations between the binding energy and the impurity position, the electron areal density with and without screenin.
对 Ga As/Alx Ga1-x As系统的杂质态结合能进行了数值计算 ,给出了结合能随杂质位置和电子面密度的变化关系 ,并讨论了有无屏蔽时的区
3.
Considering the hydrostatic pressure and a position dependent mass,the relations among the impurity binding energies,the hydrostatic pressure,quantum dot radius and the electron areal density were calculated.
考虑界面处导带弯曲,流体静压力以及有效质量随量子点位置的依赖性,采用变分法以及简化相干势近似,研究了无限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的界面效应,计算了杂质态结合能随量子点尺寸、电子面密度以及压力的变化关系。
2) interface electron density
界面电子密度
1.
The results indicated that the covalent electrons on the strongest bond in ceramic phases (nA) and the interface electron density between ceramic phases and α-Fe in TiC/Fe cermets which adding Mo increased, .
结果发现:Mo的加入使陶瓷相的最强共价键nA增强、陶瓷相与α-Fe相之间界面电子密度增加,有利于α-Fe相对陶瓷相的润湿改善,初步分析了这种微观电子结构的变化与宏观润湿性之间的关系。
2.
Based on the empirical electron theory of solid and molecule,the electron structure of α-Fe/α-Fe-M X and α-Fe/Fe3P phase interfaces were calculated,the real reason for phosphorus to cause cold short of steel with the interface electron density difference △ρ was analysised.
基于固体与分子经验电子理论(EET),计算了α-Fe/α-Fe-MX和α-Fe/Fe3P的相界面电子结构,并利用相界面电子密度差△ρ分析了非金属元素P引起冷脆的根本原因。
3) Electron density profile
电子密度剖面
4) Electron density
电子密度
1.
Study of atomic average covalence electron density in EET;
余氏理论中原子平均共价电子密度研究
2.
Calculation of electron density on γ-Fe(111),Co(0001),Ni(111),C(0001) crystal plane and valence electron structure analysis of catalyst action;
γ-Fe(111),Co(0001),Ni(111),C(0001)晶面电子密度计算及触媒作用优劣的价电子结构分析
3.
Experimental research on electron density in solid-rocket motor plume;
固体火箭发动机喷流中电子密度的实验研究
5) Electronic density
电子密度
1.
In order to provide a plasma environment of high energy and low density, vertical and parallel microwave input models are designed at the entrance of the plasma source to increase electronic density and temperature.
为了实现具有较高能量的低密度等离子体环境,首先在源入口处设计水平与垂直两种微波输入模式,提高电子的密度和温度,然后在源出口处设计装有几何调节栅和电位调节网的扩散杯,调节电子密度和温度。
2.
The numerical results show that the electronic energy spectrum is shifted, the chemical potential is not equal to the atomic energy level, the electronic density at each lattice point is changed, and the variation of electronic density at surfa.
在紧束缚近似下 ,只计及最近邻的矩阵元 ,采用格林函数计算了自洽势修正对简立方纳米晶体颗粒的电子结构的影响 ,发现电子能谱发生了移动 ,化学势不等于格点原子能级 ,各格点的电子密度也发生了变化 ,其中以表面格点的电子密度变化最大。
3.
On the base of the ionospheric occultation data from COSMIC system,we analyzed the max electronic density of ionospheric F2 layer(NmF2)over seismic preparation zone from April to the end of May.
0地震震中区上空4月至5月末的电离层F2层最大电子密度NmF2进行了时间序列分析,发现在4月震中区上空电离层F2层峰值电子密度NmF2没有明显异常变化,而在震前一周内多次出现明显负异常,排除其他因素,认为这些异常极有可能是由地震引起的。
6) Electric Charge Surface Density
电荷面密度
1.
Distribution of electromagnetic field between plates and electric charge surface density and current surface density on plates of a parallel plate capacitor in alternating current circuit are calculated by Maxwell′s equations and boundary conditions, the results are discusse
应用麦克斯韦方程和边界条件，计算了交流电路中平行板电容器极板间的电磁场、极板电荷面密度和电流面密度的分布，并对结果进行了讨
补充资料：电子密度拓扑分析
使用数学上拓扑的方法，对分子结构以及电子密度进行研究。由德国人拜德创建的新兴学科。
主要研究对象是分子的化学键的性质和一些关键点的性质。
河北师范大学化学与材料科学学院的量子化学研究所使用自编的gta06程序在从事这项研究工作多年。主要研究化学反应过渡态及反应通道。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条