1)  GG-NMOS
GG-NMOS
1.
An Improved Design of ESD Protection Circuit Using GG-NMOS Structure in Submicron CMOS Process;
亚微米CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路改进设计
2.
Design on an ESD Protection Circuit with GG-NMOS Structure in CMOS Technology;
CMOS工艺中GG-NMOS结构ESD保护电路设计
2)  gG
gG
1.
The Development and Application of the gG Enzyme Linked Immunosorbent Assay for Detection of the Antibody to gG Protein of Pseudorabies Virus in Porcine;
伪狂犬病gG-ELISA鉴别诊断方法的建立及其应用
3)  gG-ELISA
gG-ELISA
4)  gG-LAT
gG-LAT
5)  GG drill
GG钻
6)  alizarin yellow GG
茜素黄GG
1.
Determination of Human Serum Albumin by Resonance Light Scattering Method with Alizarin Yellow GG;
茜素黄GG共振光谱散射法测定人血清白蛋白
参考词条
补充资料：NMOS集成逻辑门


NMOS集成逻辑门
NMOS integrated logic gate

　　闪MOSI}chengl日ojlmenNMOS集成逻辑门(NMOS integrated IOgicgate)全部使用N沟道Mos管构成的集成逻辑门电路，又称NMOS集成门。NMOS集成逻辑门工作速度比PMOS集成逻辑门要快，它在电子计算机中得到广泛应用。 一个NMOS反相器(非门)电路如图1所示。图中Vl为驱动管，VZ为负载管，它们都是N沟道管。电源电压UDD=+12V，UTI和UTZ分别为Vl和VZ的开启电压(约等于+4V)。 NMOS集成电路，一般按正逻辑规定:高电平为1，低电平为O。 在图1中，当UiUTI时(输入高电平)，Vl管和VZ管均导通，输出低电平石图1 NMOS反相器(非门)UoL RoNzRoN工+RoN:UoD，式中RoNI和凡NZ分别为Vl和VZ的漏源导通电阻。一般尺oN:《RoN:，故U。:、IV。 由上可知，该电路是一个反相器(非门)。 对图2来说，可证明其输出的逻辑表达式为L~L二A·B峭卜瓣庄图2 NMOS与非门(正逻辑)图3 NMOS或非门(正逻辑)A·B(正逻辑的与非门)。 对图3来说，可证明其输出的逻辑表达式为L一A干B(正逻辑的或非门)。 蝉卜NMOS逻辑门尚有与或非门、异或门和三态输出门等。-
　　
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