1) nonlinear state observer
非线性状态观测器
1.
By designing nonlinear state observer,two chaotic systems are constructed and kept synchronized,hence,encrypted signals can be completely recurred.
通过设计非线性状态观测器,构造了两个混沌系统并使其保持同步,从而实现加密信号的完全再现。
2.
A new robust adaptive L_2 gain controller using backstepping design method for a class of nonlinear uncertain systems based on nonlinear state observeris presented in this paper.
针对一类不确定非线性系统,基于非线性状态观测器采用回馈递推(Backstepping)设计方法提出了一种鲁棒自适应L2增益控制方案。
2) linear state observer
线性状态观测器
1.
A linear state observer based synchronization scheme for a class of chaotic systems was presented, and this scheme was applied to secure communication.
给出了一类基于线性状态观测器混沌或超混沌同步的方案,并将其应用到混沌保密通信中。
3) Nonlinear Observer
非线性观测器
1.
Estimation Method for Disease Incidence Based on Nonlinear Observer;
基于非线性观测器的疾病发生率的估计
2.
Robust nonlinear observer design via circle criterion;
鲁棒非线性观测器的圆判据设计
3.
Decreased pressure fault of hydraulic servo system was diagnosed based on nonlinear observer.
利用非线性观测器对液压伺服系统失压故障进行诊断。
5) State observer
状态观测器
1.
A new design method of state observer for Lipschitz nonlinear systems;
Lipschitz非线性系统状态观测器设计新方法
2.
Design of state observer for networked control systems with large delays;
大时延网络化控制系统状态观测器的设计
3.
Design of state feedback control system for spherical robot based on state observer;
基于状态观测器的球形机器人状态反馈控制系统设计
6) state-observer
状态观测器
1.
Design of adaptive state-observers in the chemical process;
一类化工过程自适应状态观测器的设计
2.
In view of the impact of time delay in medium frequence inverter,this paper introduces a dual loop control system based on state-observer.
针对时间延迟对中频逆变器性能的影响,提出了一种基于状态观测器的双环控制方案,并在双环之外加入重复控制器。
3.
A fractional-order state-observer is proposed and the synchronization between 2.
基于状态观测器控制法,提出一种分数阶系统状态观测器,实现了2。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条