1) radiation properties of diffuse cavity
半球积分发射率
3) hemispherical emittance
半球黑度，半球发射率
4) total hemisphere emissivity
半球向总发射率
1.
The total hemisphere emissivity at 90℃ and the normal spectral reflectance at room temperature of C/SiC composites were measured by using steady-state calorimeter method and Fourier infrared spectrometer(FTIR) respectively.
利用稳态量热计法和傅里叶红外光谱仪分别测定了C/S iC复合材料在90℃时的半球向总发射率和室温法向光谱反射率。
5) hemisphere integrated radiant emittance
半球全发射率
1.
The principle of measuring the hemisphere integrated radiant emittance by the radiation heat-equilibrium method (filament method) was discussed.
论述用辐射热平衡法 (热丝法 )测量材料半球全发射率的原理 ;据此设计半球全发射率测量系统 ;讨论设计中考虑到的问题 ;利用此系统在 30 0 - 10 0 0°C范围内测试了电阻带 (Cr2 5Al5)的半球全发射率 ;最后计算出测量误差不大于 2 %。
6) hemispherical total emittance
半球全波发射率
1.
A new dynamic technique for measurement of hemispherical total emittance;
一种新的测量半球全波发射率的动态技术
补充资料：发射率
分子式：
CAS号：
性质：物体的辐射能力与相同温度下黑体的辐射能力之比称为该物体的发射率或黑度。这是针对所有波长而言的，因此应称为全发射率，通常就简称为发射率。实际物体的发射率与物体的表面状态(包括物体表面温度、表面粗糙度以及表面氧化层、表面杂质或涂层的存在)有关。金属的发射率随表面温度的上升而增大，而非金属的发射率一般是随表面温度的上升而减小。金属的发射率比非金属的小得多。
CAS号：
性质：物体的辐射能力与相同温度下黑体的辐射能力之比称为该物体的发射率或黑度。这是针对所有波长而言的，因此应称为全发射率，通常就简称为发射率。实际物体的发射率与物体的表面状态(包括物体表面温度、表面粗糙度以及表面氧化层、表面杂质或涂层的存在)有关。金属的发射率随表面温度的上升而增大，而非金属的发射率一般是随表面温度的上升而减小。金属的发射率比非金属的小得多。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条