1) titania modified MCM-41
TiO_2修饰的MCM-41
2) γ-aminopropyl modified MCM-41
γ-氨丙基修饰的MCM-41
3) MCM 41
MCM-41
1.
Using cetyltriethylammonium bromide and cetyltrimethylammonium bromide as templating agent respectively,and silicasol as silica source,the mesoporous molecular sieves MCM 41 were synthesized by hydrothermal method in basic media.
分别采用十六烷基三甲基溴化铵和十六烷基三乙基溴化铵作为模板剂,硅溶胶为硅源,用水热晶化法在碱性(NaOH)介质中合成了MCM-41介孔分子筛样品。
2.
thiopropyl tri methyl silicane and surface pre adsorption hydrolysis technique were used to accommodate CdS and TiO2 nanoparticles into the tunnels of MCM 41 meso porous sieves.
利用γ-巯丙基三甲氧基硅烷及表面预吸附水解技术在MCM-41介孔分子筛孔道内部以化学键合的形式依次引入了CdS和TiO2纳米粒子。
3.
The mesoporous MCM 41 molecular sieves with super high surface areas were hydrothermally synthesized by means of a novel surfactant.
通过易于控制的手段,合成出了超高表面积的MCM-41分子筛,并采用XRD、N2吸附脱附、热重-差热分析、SEM等测试手段对合成样品进行分析表征,主要考察了晶化时间对分子筛表面积的影响。
4) MCM41
MCM-41
1.
OVERGROWTH OF MESOPOROUS MCM41 ON ZEOLITE ZSM5;
中孔MCM-41分子筛在微孔沸石ZSM-5上附晶生长的研究
2.
RESEARCH ON SYNTHESIS FACTORS OF SILICABASED MESOPOROUS MOLECULAR SIEVE MCM41 Ⅰ EFFECT OF CATION Na~+,K~+ ON THE SYNTHESIS;
纯硅MCM-41中孔分子筛合成因素的研究Ⅰ.Na~+、K~+阳离子对合成的影响
3.
STUDY ON SYNTHESIS FACTORS OF SILICABASED MESOPOROUS MOLECULAR SIEVE MCM41Ⅱ INFLUENCES OF SURFACTANTS;
纯硅MCM-41中孔分子筛合成因素的研究Ⅱ.表面活性剂对合成的影响
5) potassium modified MCM-22 zeolite
钾修饰的MCM-22分子筛
6) TiO_2-modified LiMn_2O_4
TiO_2修饰LiMn_2O_4
补充资料：CaO-TiO2-SiO2 ceramics
分子式：
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
CAS号：
性质：在CaO-TiO2-SiO2三元系统中以CaSiO3与TiO2或以CaTiSiO5与CaTiO3为基料的陶瓷材料。其结构特点是两种晶相共存，性能受晶相比例影响。配比可在一定范围内调节。主要原料为碳酸钙、二氧化钛、二氧化硅，加入少量改性添加剂，经配料、磨细、混合、成型、烧成等工序获得制品，也可先用碳酸钙和二氧化硅高温下合成硅酸钙，用碳酸钙、二氧化硅、二氧化钛高温下合成钛硅酸钙后再进行配料、烧成等，以确保两晶相共存。主要介电性能为：介电常数80～110，介质损耗角正切值(0.8～2.5)×10-4，介电常数温度系数(-450～+550)×10-6/℃。抗电温度(45～55)kV/mm，电阻率(1011～1012)Ω·cm。主要用作温度补偿型陶瓷电容器瓷料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条