1) gate coupling
栅耦合
1.
The extraction methods of gate coupling coefficient of floating gate device mainly aim at no-nignored channel coupling.
提取浮栅器件栅耦合率的方法一般都是针对不可忽略的沟道耦合现象进行修正。
2) gate-coupled
栅耦合
1.
Design of a gate-coupled electrostatic discharge protection structure;
栅耦合型静电泄放保护结构设计
2.
Aiming at this phenomenon,the current ESD protection circuit which uses GG-NMOS structure is mended by introducing the gate-coupled technology without increasing layout area.
针对采用GG-NMOS结构ESD保护电路的IC芯片在实际应用中出现ESD失效现象,在不额外增加版图面积的情况下通过引入栅耦合技术对现有的ESD保护结构进行改进,并达到了预期效果。
3) Coupling grating
耦合光栅
4) coupling grates
耦合栅格
1.
Based on it, energy coupling grates are designed and fabricated for spin wave (Winter mode) excitation within domain walls, and successful result is obtained in the coupling between electromagnetic field and spin waves.
以此为依据设计了用于薄膜畴壁内自旋波Ｗｉｎｔｅｒ模式激发的能量耦合栅格。
6) Gate-Coupled LDMOS
栅耦合LDMOS
补充资料：jj 耦合
由给定电子组态确定多个价电子原子的能量状态的一种近似方法。它适用于原子中各价电子间的静电斥力势能之和远小于各价电子的自旋轨道磁相互作用能之和的情况,单个电子的轨道角动量pli将和其自旋角动量psi耦合成该电子的总角动量pji,,ji是第i个价电子的总角动量量子数，媡=h/2π,h是普朗克常数。
以两个非等效电子为例,设电子组态为(n1l1n2l2),n1、n2和 l1、l2分别为两电子的主量子数和轨道量子数,电子的自旋量子数都为1/2,即s1=s2=1/2,按原子的矢量模型，电子轨道角动量 pli与自旋角动量 psi耦合，。原子jj 耦合的多重谱项则由各种可能的(j1j2)确定,不同谱项间能量差别相对来说比较大,而两电子间静电作用使与耦合成原子的总角动量PJ，pJ＝＋,J为原子总角动量量子数,J＝j1+j2,j1+j2-1,...，|j1-j2|，由于这种静电作用远小于电子的轨道与自旋相互作用，因此同一多重谱项中由于电子间静电作用而引起的不同J值的能态间距是很小的。jj 耦合形成的原子态符号是(j1j2)J 。
对于等效电子（见原子结构），耦合时要考虑泡利不相容原理，所形成的原子态要比非等效电子形成的原子态少。例如两个等效p电子经jj 耦合只能形成、、五种原子态，而两个非等效p电子经jj 耦合将形成、、和等十个原子态。
jj 耦合常适用于确定重元素原子的受激态和轻元素原子的高受激态，有时还适用于确定重元素的基态（例如Pb原子的基态）。
以两个非等效电子为例,设电子组态为(n1l1n2l2),n1、n2和 l1、l2分别为两电子的主量子数和轨道量子数,电子的自旋量子数都为1/2,即s1=s2=1/2,按原子的矢量模型，电子轨道角动量 pli与自旋角动量 psi耦合，。原子jj 耦合的多重谱项则由各种可能的(j1j2)确定,不同谱项间能量差别相对来说比较大,而两电子间静电作用使与耦合成原子的总角动量PJ，pJ＝＋,J为原子总角动量量子数,J＝j1+j2,j1+j2-1,...，|j1-j2|，由于这种静电作用远小于电子的轨道与自旋相互作用，因此同一多重谱项中由于电子间静电作用而引起的不同J值的能态间距是很小的。jj 耦合形成的原子态符号是(j1j2)J 。
对于等效电子（见原子结构），耦合时要考虑泡利不相容原理，所形成的原子态要比非等效电子形成的原子态少。例如两个等效p电子经jj 耦合只能形成、、五种原子态，而两个非等效p电子经jj 耦合将形成、、和等十个原子态。
jj 耦合常适用于确定重元素原子的受激态和轻元素原子的高受激态，有时还适用于确定重元素的基态（例如Pb原子的基态）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条