1) SiC buffer layers
碳化硅缓冲层
2) SiO2 buffer layer
二氧化硅缓冲层
3) SiGe buffer layer
锗硅弛豫缓冲层
4) buffer carbon layer
(热解)碳缓冲(涂)层
5) silicon carbide coating
碳化硅涂层
6) SiC coating
碳化硅涂层
补充资料:碳化硅晶须补强碳化硅陶瓷基复合材料
分子式:
CAS号:
性质:以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
CAS号:
性质:以碳化硅陶瓷为基和以碳化硅晶须为增强剂的新型陶瓷材料。通过晶须的载荷转移、拔出及裂纹偏转作用,获得比普通碳化硅更高的强度和韧性。使用温度达1400℃。是一种重要的高温结构陶瓷。用于燃气轮机叶片等高温部件和耐磨件制造。采用原位生长工艺和烧结工艺制取。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条