临界电荷,Critical Charge,音标,读音,翻译,英文例句,英语词典

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1) Critical Charge 点击朗读

临界电荷

Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM; 点击朗读

PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定

2) critical load 点击朗读

临界载荷

Study on critical load and elastic stability of drilling riser; 点击朗读

钻井隔水导管临界载荷及弹性稳定性研究

A calculating method of critical loading for dual-extension hydraulic legs of hydraulic powered supports;

液压支架双伸缩立柱临界载荷的计算方法

Supporting-displacement-based critical load calculation for jib strings of rubber tired gantry cranes;

支座位移对轮胎式起重机臂架弦杆临界载荷的影响

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3) critical load 点击朗读

临界荷载

Analysis of critical load for lateral buckling of beam; 点击朗读

梁侧向屈曲临界荷载分析

Lateral-torsional buckling critical load under the effect of I-type member s transverse concentrated load;

Ⅰ形构件横向集中荷载下的弯扭屈曲临界荷载

Study of critical loads of thin-walled cylinder pressure vessel with crack; 点击朗读

带有裂纹的薄壁圆筒压力容器临界荷载研究

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4) Critical loads 点击朗读

临界负荷

Evaluating critical loads of nutrient nitrogen on soils in China using the SMB method; 点击朗读

用SMB法确定中国土壤的营养氮沉降临界负荷

Mapping critical loads of heavy metal (Pb and Cd) deposition for soil in China 点击朗读

中国土壤重金属(Pb和Cd)沉降临界负荷区划

The critical loads of acid deposition on soils of Laoshan scenic spot were calculated using a simple mass balance method(SMB) based on various standards in this paper.

本文基于不同标准,应用简单质量平衡(SMB)法,确定了崂山土壤的酸沉降临界负荷。

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5) critical loads 点击朗读

临界载荷

According to the thin shell plastic stability theory, based on the plastic instability coefficients and energy rule,the theoretical for calculating critical loads of plastic wrinkling on the ends of the hydroformed tube is establ.

通过将基于塑性失稳系数的薄壳塑性稳定性理论与能量准则相结合,在系统势能极小条件下,建立起薄壁管无模内高压成形端部塑性皱曲临界载荷的理论计算方法。

The first three critical loads and corresponding bifurcation solutions are calculated. 点击朗读

利用非线性有限元方法，研究了具有中心弹簧支承的极正交各向异性圆板的稳定性问题，计算了前三个临界载荷（分支点）和相应的分支解，得到了过屈曲状态的大泛围响应，发现由于弹簧约束过屈曲模态变化的现象，并预测了二次屈曲的可能

The buckling critical loads are obtained with varying holes. 点击朗读

将强激光对一种飞航导弹舱段模拟件蒙皮的作用简化为烧蚀形成不同尺寸的孔洞,采用有限元程序计算了模拟件的弹塑性屈曲过程,得到了不同大小孔洞下的屈曲临界载荷。

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6) critical loads 点击朗读

临界荷载

Calculation method on buckling critical loads for welding aluminum alloy beam; 点击朗读

焊接铝合金梁的稳定临界荷载计算方法

The modes of instability and the critical loads at critical condition are obtained. 点击朗读

本文应用非线性有限元法对球壳、扭壳、双曲扁壳和马鞍形壳在不同矢高情况下进行屈曲分析，获得了临界状态下的失稳模态和临界荷载。

If these elastic restraints action of buckling resistance is taken into account the critical loads of steel members may apparentely been increased and plenty of steel material is saved.

利用连接构件之间约束作用，钢构件的稳定临界荷载可以得到显著的提高，节约大量的钢材。

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补充资料：半导体的导电与电荷输运

半导体的导电与电荷输运
conductance and charge transport in semiconductor

　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m*能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。

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参考词条

临界载荷Lc 临界热负荷临界载荷面

临界荷重临界死载荷临界热载荷超临界负荷荷载临界比临界荷质比

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	您的位置：首页 -> 词典 -> 临界电荷 1) Critical Charge 临界电荷 1. Critical Charge Definition for PDSOI CMOS SRAM; PDSOI CMOS SRAM单元临界电荷的确定 2) critical load 临界载荷 1. Study on critical load and elastic stability of drilling riser; 钻井隔水导管临界载荷及弹性稳定性研究 2. A calculating method of critical loading for dual-extension hydraulic legs of hydraulic powered supports; 液压支架双伸缩立柱临界载荷的计算方法 3. Supporting-displacement-based critical load calculation for jib strings of rubber tired gantry cranes; 支座位移对轮胎式起重机臂架弦杆临界载荷的影响更多例句>> 3) critical load 临界荷载 1. Analysis of critical load for lateral buckling of beam; 梁侧向屈曲临界荷载分析 2. Lateral-torsional buckling critical load under the effect of I-type member s transverse concentrated load; Ⅰ形构件横向集中荷载下的弯扭屈曲临界荷载 3. Study of critical loads of thin-walled cylinder pressure vessel with crack; 带有裂纹的薄壁圆筒压力容器临界荷载研究更多例句>> 4) Critical loads 临界负荷 1. Evaluating critical loads of nutrient nitrogen on soils in China using the SMB method; 用SMB法确定中国土壤的营养氮沉降临界负荷 2. Mapping critical loads of heavy metal (Pb and Cd) deposition for soil in China 中国土壤重金属(Pb和Cd)沉降临界负荷区划 3. The critical loads of acid deposition on soils of Laoshan scenic spot were calculated using a simple mass balance method(SMB) based on various standards in this paper. 本文基于不同标准,应用简单质量平衡(SMB)法,确定了崂山土壤的酸沉降临界负荷。更多例句>> 5) critical loads 临界载荷 1. According to the thin shell plastic stability theory, based on the plastic instability coefficients and energy rule,the theoretical for calculating critical loads of plastic wrinkling on the ends of the hydroformed tube is establ. 通过将基于塑性失稳系数的薄壳塑性稳定性理论与能量准则相结合,在系统势能极小条件下,建立起薄壁管无模内高压成形端部塑性皱曲临界载荷的理论计算方法。 2. The first three critical loads and corresponding bifurcation solutions are calculated. 利用非线性有限元方法，研究了具有中心弹簧支承的极正交各向异性圆板的稳定性问题，计算了前三个临界载荷（分支点）和相应的分支解，得到了过屈曲状态的大泛围响应，发现由于弹簧约束过屈曲模态变化的现象，并预测了二次屈曲的可能 3. The buckling critical loads are obtained with varying holes. 将强激光对一种飞航导弹舱段模拟件蒙皮的作用简化为烧蚀形成不同尺寸的孔洞,采用有限元程序计算了模拟件的弹塑性屈曲过程,得到了不同大小孔洞下的屈曲临界载荷。更多例句>> 6) critical loads 临界荷载 1. Calculation method on buckling critical loads for welding aluminum alloy beam; 焊接铝合金梁的稳定临界荷载计算方法 2. The modes of instability and the critical loads at critical condition are obtained. 本文应用非线性有限元法对球壳、扭壳、双曲扁壳和马鞍形壳在不同矢高情况下进行屈曲分析，获得了临界状态下的失稳模态和临界荷载。 3. If these elastic restraints action of buckling resistance is taken into account the critical loads of steel members may apparentely been increased and plenty of steel material is saved. 利用连接构件之间约束作用，钢构件的稳定临界荷载可以得到显著的提高，节约大量的钢材。更多例句>> 补充资料：半导体的导电与电荷输运半导体的导电与电荷输运 conductance and charge transport in semiconductor 　　“一斋<:>厂rE嚼。:丈“E4fod二于声学声子散射，r一3厂/8一1.18;而对于电离杂质散射，r二315厂/512=1 .93。在:与能量无关的情况下，r一1。如果n》P，有R一r(二皿)2一3 一一一、/ r /、式中E为电子能量。对P之0，有 e如果P》n，有肠一丽轰在类似假设下，空穴迁移率召p也有类似洲n的公式，即有同时适用于电子与空穴的迁移率公式为 e(r>n，l、了(-r气—少即召一~下沌不#取决于m‘和<价，在不同散射机制下有不同的表达式。对于电离杂质散射，相应迁移率召，为由上两式，如果测定了霍耳系数，据其符号可以确定半导体的导电类型，而据其数值可求出载流子浓度。对于n》p的情况，有R6~一塑n;对于力》”的情况，有RJ一举p。定义霍耳迁移率#。一}R6}。对于n》P或P》n的半导体都有丛区丝丝丝工广兰筋m能3{，n〔‘+代墙早)2〕}一’式中N为电离杂质密度，‘是半导体介电常数。由于括号的量变化慢，近似有，，二(，，)一斌一‘T普对于声学声子散射，相应载流子迁移率角公式为卫亘一r 召测量电导与霍耳系数，可以求出霍耳迁移率召H。它与漂移迁移率之比的数量级为1的因子r，它的具体数值取决于载流子散射机构。织涯呀e丫Cl3百护m·鲁(尤丁)3‘，州m，)一号T一号夯十几才刀犬二-犷一一一///十十式中Cll是半导体平均纵弹性常数;El是形变势常数，即晶格单位体积改变引起的能带边移动的绝对值。对于极性半导体(如GaAs)光学声子散射，相应的迁移率脚p为匕丸21，11、一;腼一丽而面i劝丽落痴德、百一百，-·〔exp(骨卜1〕式中臼Lo为长波纵光学声子的频率，匀与‘分别为半导体静介电常数与光频介电常数。对于几种散射机构同时起作用的情况，载流子迁移率由这几种散射机构共同确定。设3种散射机构单独起作用时，迁移率分别为角、脚和灼，则三者同时存在条件下的载流子漂移迁移率户近似由下式确定l召一工一+土十1-召l召2召a 霍耳系数半导体中，若同时存在电流I及与电流相垂直的磁感应强度B(分别在图2中x与之方向上)，当载流子是电子(空穴)时，它就逆(沿)着I的方向而漂移;另一方面，它又受到洛伦兹力作用，相对漂移运动方向偏转，在垂直于电场与磁场的y方向上引起正比于I与B的横向电场肠，对电子与空穴来说，其方向正相反，该现象称为霍耳效应。肠可写为:肠二尺石日，式中R为与I、B无关的常数，称霍耳系数R一rl eP一bZ”(P+b”)式中b一肠/脚，r一<尸>/(价2。在非简并情况下，对图竺霍耳效应不意图 a载流子为电子b载流子为空穴磁阻假设磁场足够弱，并不影响半导体样品的电导或电阻;如果磁场强，则发现半导体的电阻显著增大，这一现象称为磁阻效应。磁阻通常定义为磁场作用下电阻值的相对变化 -全卫一三宜二鱼 P Po式中P0和pB分别为没有磁场和有磁场时半导体的电阻率。设磁场方向与电流方向垂直(相应磁阻称为横向磁阻)，对于刀》P的情况，△p/p。竺1『2‘BZ;对于P》刀防祛。△P~，八一2二2D2，、二_，，、，，八2/、，的情况，~二10一z‘BZ。这里#n或召p以10 em“/(V·s) 户。”一·--·一_为单位，而B以10‘高斯为单位。强电场下电导与热载流子在弱电场情况下，电流密度J与载流子漂移速度都正比于电场强度，即电导率与载流子迁移率都是与电场无关的常数。但是当电场增强到一定程度(对于许多半导体，为10”V/cm量级)，载流子漂移速度与电场之间的正比关系不能保持。锗、硅及砷化稼中载流子漂移速度与电场强度之间关系见图3。从图3可见，电场进一步增强时，锗与硅中载流子的漂移速度达到饱和值。在更强的电场下出现碰撞离化，载流子密度增加。说明：*补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。参考词条临界载荷Lc 临界热负荷临界载荷面

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