1) capacitive grating
容栅
1.
Application of capacitive grating technology in mechanical movement track test;
容栅技术在机械运动轨迹测试中的应用
2.
Effective ways to improve accuracy of capacitive grating displacement sensor;
提高容栅位移传感器精度的有效方法
3.
A group of multiphase modulation signal source which generates the multiphase linear light source actuating signal for grating measurement system is generated by using the design techniques of actuating signal source in capacitive grating measurement system.
利用容栅测量系统中激励信号源的设计技术,产生一组多相输出的调制信号源,作为光栅测量系统的多相线阵光源激励信号,发出的多相调制光信号,再经过标尺光栅调制后,由光电转换元件接收并获得一个复合的电信号。
2) body drain-gate capacitor
漏栅电容
3) gate capacitance
栅电容
1.
Modeling of reduced gate capacitance of MOSFETs accounting for quantum effects;
考虑量子化效应的MOSFET栅电容减小模型
2.
The influence on threshold voltage and gate capacitance of MOSFETs due to quantum effects;
量子效应对MOSFETs阈值电压和栅电容的影响
3.
The paper presents the equivalent model and components of gate resistance Rg and gate capacitance Cgs of DMOSFET, the C-V curve of metal insulator semiconductor structure and testing methods and equipments of gate resistance Rg.
讲述了双扩散型MOSFET栅电阻Rg和栅电容Cgs的等效模型和构成,介绍了金属绝缘半导体结构C-V曲线及栅电阻Rg的测试方法和设备。
4) gate-drain capacitance
栅漏电容
1.
A buried-oxide trench-gate bipolar-mode JFET(BTB-JFET)with an oxide layer buried under the gate region to reduce the gate-drain capacitance Cgd is proposed.
提出了埋氧沟槽栅双极模式JFET(BTB-JFET),其在栅极区域下面添加埋氧以减小栅漏电容Cgd。
2.
It is shown that neglecting the gate-drain capacitance of the MOSFET would lead to an overestimation of the optimum device width in the CMOS source degenerated LNA.
本文证明了在CMOS源端degeneration结构的低噪声放大器中，忽略场效应管的栅漏电容将造成对放大管的最优栅宽估计过大。
3.
Simulation results show that the gate-drain capacitance CGD of normally-on BTB-JFET has an improvement up to 25% than that of TB-JFET at zero source-drain bias.
仿真中借鉴现有的高性能T-MOSFET的结构尺寸,并采用了感性负载电路对器件进行静态以及混合模式的电特性仿真,结果表明,常开型BTB-JFET与TB-JFET相比,零偏压时栅漏电容CGD减小25%;当工作频率为1MHz和2MHz时常开型TB-JFET与T-MOSFET相比总功耗分别降低了14%和19%,而常开型BTB-JFET较TB-JFET的总功耗又进一步降低了6%。
5) gate source capacitance(Cgs)
栅源电容
6) interdigital capacitors
指栅电容
1.
By using transmission line matrix method, the simulation and analysis for frequency response of interdigital capacitors in metal semiconductor metal photodetector is described.
介绍了利用传输线矩阵方法模拟和分析金属 -半导体 -金属光电探测器指栅电容的频率响应。
补充资料：等容热容
分子式：
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
CAS号：
性质：系统在体积不能改变的条件下温度升高1K所需的热，符号Cv。此时系统所吸取的热完全用来增加其内能。因为等容过程中系统吸热Qv=△U，所以Cv就是系统升高1K时其内能的变化。用数学式表示，为 Cv=其中代表偏微分，下脚V表示体积不变。关于Cv与Cp关系参见等压热容。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条