1) germanium single crystal
锗单晶
2) Single Crystal Germanium
锗单晶
1.
Design of A Two-stage Heating Single Crystal Germanium Growth Furnace;
双段式加热锗单晶生长设备的结构设计
3) germanium monocrystalline
锗单晶体
4) SiGe bulk
硅锗单晶
1.
The distribution of impurity Ge in SiGe bulk single crystal which was grown by varying speed CZ was measured by using the SEM-EDS methods, and it was found that the Ge concentration varied from a lower value at head to a highter one at the tail of Si crystal which was doped Ge.
利用扫描电镜能谱分析法,对 CZ 法生长的掺锗浓度不同的硅锗单晶中锗浓度进行了测定,结果发现硅中锗的纵向分布是头部浓度较低,尾部锗浓度较高。
5) single crystal of germanium
锗单晶<冶>
6) Ge single crystal piece
锗单晶圆片
1.
9mm Ge single crystal piece ,And has used A,B,the C three kind of choice point plans,Result show that B plan can test electronic resistivity and nonuniformity of Ge single crystal piece with the few test points,It reflected the real performance and reliability of the material,And it simplified the experimental procedure.
9mm的半导体锗单晶圆片的电阻率进行测定,并采用了A、B、C等三种选点方案,结果表明:方案B用少量的测试点就能测定和计算出锗单晶的电阻率和不均匀性,它不仅反映出材料的真实性和保证其可靠性,而且简化了试验程序。
参考词条
补充资料：锗单晶
分子式：Ge
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
CAS号：
性质：周期表IV族元素半导体。共价键结合，金刚石型结构。晶胞由两类不等价原子组成的两个面心立方晶格套构而成，包胞中包含两个不等价原子。为复式晶格。晶格常数0.56575nm。电子纵向和横向有效惯性质量m分别为1.64和0.0819。重空穴和轻空穴的有效惯性质量为0.36和0.04，为间接带隙半导体。室温禁带宽度0.67eV。本征载流子浓度2.4×1019/m3。纯晶体的电子和空穴迁移率趴39m2(V·s)和0.19m2(V·s)。掺入III和V族原子可制成p型或n型材料。采用区熔法提纯晶体。用直接法制备单晶。为制作高频、低噪声半导体器件的优良材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。